【作者】 丁成玉； 段素芳；
【机构】 771所； 771所；
【摘要】 在减压和等离子体辉光放电情况下,使用SiCl4,在700℃以下发现外延层不按衬底取向淀积,而强烈的按[110]晶向有序生长。认为分子自由路程可以影响生长活化能,减压和使用分子直径小的载气可以降低外延温度。由于SiCl4和SiH4反应机构不同,SiCl4易于有序生长。更多还原
