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低温沉积硅薄膜微结构的Raman分析  
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【英文篇名】 Raman Analysis of Microstructure of Silicon Thin Films Deposited at Low Temperatures
【下载频次】 ★★★
【作者】 张丽伟; 赵剑涛; 杨根; 李红菊; 郭学军; 卢景霄;
【英文作者】 ZHANG Li-wei1; 2; ZHAO Jian-tao1; YANG Gen1; LI Hong-ju1; GUO Xue-jun1; LU Jing-xiao1(1.Key Laboratory of Material Physics of Ministry of Education; Zhengzhou University; Zhengzhou 450052; CHN; 2.Xinxiang Normal College; Xinxiang 453000; CHN);
【作者单位】 郑州大学材料物理教育部重点实验室; 郑州大学材料物理教育部重点实验室 河南郑州; 新乡师范高等专科学校; 河南新乡; 河南郑州;
【文献出处】 半导体光电 , Semiconductor Optoelectronics, 编辑部邮箱 2007年 01期  
期刊荣誉：中文核心期刊要目总览  ASPT来源刊  CJFD收录刊
【中文关键词】 Raman; 硅薄膜; 微结构;
【英文关键词】 Raman; silicon thin films; microstructure;
【摘要】 用Raman散射谱研究了以SiH4/H2为气源,用等离子体增强化学气相沉积技术,低温制备的一系列硅薄膜的微结构特征。结果表明:在常规气压和常规功率下,衬底温度在200～500℃之间,存在结晶最佳点,400℃结晶效果相对最好;在高压高功率下沉积和常压常功率下沉积相比,高压高功率更有利于薄膜晶化;低温短时的高气压高功率沉积,玻璃衬底与铝覆盖的玻璃衬底相比,玻璃上的硅薄膜晶粒尺寸更大,而铝覆盖的玻璃衬底上的硅薄膜的晶化率更高。
【英文摘要】 The microstructure of silicon thin films fabricated at low temperature by plasma enhanced chemical vapor deposition(PECVD) using H2/SiH4 has been studied by Raman scattering.The results show that substrate temperature plays an important role in depositing process.And there is a best temperature point of 400 ℃ for crystallization between 200 ℃ to 500 ℃.The silicon thin films are easy to crystallize under high-pressure and high-power deposition process compared with conventional conditions.The grain size of s...
【更新日期】 2007-04-30
【分类号】 TN304.12
【正文快照】 1引言晶化后的硅薄膜以其优异的光电性能和较低的大面积制备成本,使其地位在绿色能源、信息工业中日益突出[1~5]。而低温工艺可以在廉价衬底上制备硅薄膜太阳电池,从而极大程度地降低生产成本。因此如何在低温条件下制备结晶率高的硅薄膜成为研究热点[6]。本研究在200~500℃的?

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