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扩Zn~(2+)多孔硅的光致发光性能  
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【英文篇名】 Photoluminescence Performance of Zn~(2+)-Diffused Porous Silicon
【下载频次】 ★★
【作者】 张玉娟; 贾振红; 涂楚辙;
【英文作者】 ZHANG Yu-juan1; JIA Zhen-hong2; TU Chu-zhe2(1.College of Physics; 2.College of Information Science and Engineering; Xinjiang University; Urumchi 830046; CHN);
【作者单位】 新疆大学物理学院; 新疆大学信息科学与工程学院; 新疆大学信息科学与工程学院 新疆乌鲁木齐; 新疆乌鲁木齐;
【文献出处】 半导体光电 , Semiconductor Optoelectronics, 编辑部邮箱 2006年 06期  
期刊荣誉：中文核心期刊要目总览  ASPT来源刊  CJFD收录刊
【中文关键词】 多孔硅; Zn2 扩散; 光致发光;
【英文关键词】 porous silicon; Zn2 diffusion; photoluminescence;
【摘要】 用快扩散方式把Zn2+掺入到单晶硅中,再用阳极电化学腐蚀方法把样品腐蚀成多孔硅。利用荧光分光光度计测试了样品的光致发光特性,结果表明Zn2+的扩散增强了多孔硅的荧光发射,并分别利用扫描电镜和傅里叶变换红外光谱仪研究了多孔硅薄膜的表面形态和样品的红外吸收光谱。
【英文摘要】 Zn2+ions have been doped into single-crystalline silicon making use of quick diffusion method.Fluorescence photospectrometer has been used to analyze the photoluminescence properties of the samples which are fabricated by anode electrochemical etching,and the results show that the luminescence intensity of porous silicon is increased after Zn2+diffusion.Moreover,the surface morphology of the samples and FTIR absorption spectra have been investigated by means of scanning electron microscope and Fourier trans...
【基金】 国家自然科学基金项目(60267001); 中国科学院“西部之光”项目; 新疆维吾尔自治区高校科学研究计划项目
【更新日期】 2007-03-09
【分类号】 O482.31
【正文快照】 1引言用氢氟酸阳极腐蚀方法在晶体硅表面制成的多孔硅(PS)早在1956年就被观察到了。从此多孔硅就给科学界和工业界提供了大量重要信息。事实上,多孔硅层的特性非常依赖硅基底的晶型、电阻率以及在阳极腐蚀过程中的各种电化学参数;不同的基底掺杂水平和腐蚀条件可以形成不同的多

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