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激光定域晶化技术制备纳米硅的研究  
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【英文篇名】 Fabrication of nc-Si array made by pulsed laser constrained interference crystallization
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【作者】 朱乐仪; 黄信凡; 王立; 王晓伟; 马忠元; 李伟; 陈坤基;
【英文作者】 ZHU Le-yi; HUANG Xin-fan; WANG Li; WANG Xiao-wei; MA Zhong-yuan; LI Wei; CHEN Kun-ji (National Laboratory of Solid State Microstructures and Department of Physics; Nanjing University; Nanjing210093; China);
【作者单位】 南京大学物理系; 南京大学物理系 固体微结构物理国家重点实验室; 江苏南京; 固体微结构物理国家重点实验室; 固体微结构物;
【文献出处】 微纳电子技术 , Semiconductor Information, 编辑部邮箱 2002年 07期  
期刊荣誉：中文核心期刊要目总览  ASPT来源刊  CJFD收录刊
【中文关键词】 激光晶化; 纳米硅; 微结构;
【英文关键词】 laser crystallization; nanocrystal-Si; microstructure;
【摘要】 利用相移光栅模板使KrF准分子激光形成强度周期分布的激光束,定域晶化a-Si∶H(4nm)/a-SiNx∶H(10nm)多层膜中的超薄a-Si∶H层,成功地制备出了三维有序分布的nc-Si阵列。原子力显微镜(AFM)、微区喇曼光谱、剖面透射电子显微镜(X-TEM)及高分辨电子显微镜(HREM)技术分析揭示了晶化后薄膜中形成了横向周期与移相光栅周期相同、纵向周期与a-Si∶H/a-SiNx∶H多层膜周期(14nm)相等的nc-Si阵列。
【英文摘要】 Fabrication of nc-Si and ordered nc-Si array is a key for the development and applica-tion of nc-Si in Nano-technology and modern microelectronics industry.We proposed a new method,the combination of KrF excimer pulsed laser and phase shift grating,to crystallize the a-Si∶H(4nm)/a-SiN x ∶H(10nm)multilayers(MLs )and tempted to fabricate three-dimensional ordered Si array.The crystallinity,morphology and microstructure of the laser interference crystallized samples are observed by Raman scattering...
【基金】 国家自然科学基金资助项目(69890225; 90101020; 60071019); 江苏省自然科学基金资助项目(BK2001028)
【分类号】 TN304.055
【正文快照】 １引言５０年代发展起来的固态电子学与微电子学的成就引发了全世界范围内的信息技术革命，已成为当代计算机技术、通信技术、自动控制技术的关键基础。随着微电子器件集成度的不断提高，其芯片上的功能组件尺寸不断减少。根据Morrer定律，到２０２０年，芯片功能组件的尺寸将?

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