ULSI硅衬底的化学机械抛光技术-中国学术期刊网络出版总库

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ULSI硅衬底的化学机械抛光技术

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【英文篇名】	Chemomechanical polishing technique of silicon substrate in ULSI
【下载频次】	★★★★★
【作者】	狄卫国; 刘玉岭; 司田华;
【英文作者】	DI Wei-guo1; LIU Yu-ling1; SI Tian-hua2(1.Hebei University of Technology; Tianjin 300130; China; 2.Luoyang Single Crystal Silicon Factory; Luoyang 471009; China);
【作者单位】	河北工业大学; 洛阳单晶硅厂天津; 河南洛阳;
【文献出处】	半导体技术 , Semiconductor Technology, 编辑部邮箱 2002年 07期期刊荣誉：中文核心期刊要目总览 ASPT来源刊 CJFD收录刊
【中文关键词】	化学机械抛光; 抛光液; ULSI; 硅片;
【英文关键词】	CMP; ULSI; Slurry; Silicon wafer;
【摘要】	介绍了特大规模集成电路(ULSI)硅衬底的化学机械抛光工艺。对抛光机理、影响抛光速率和抛光质量的因素、抛光液中的成份特别是精抛液中的有机碱和活性剂的选择作了讨论分析,另外对抛光中出现的一些问题及解决方法进行了分析研究。
【英文摘要】	Chemomechanical polishing(CMP)technology of silicon substrate inULSI is introduced in this paper. The mechanism of silicon polishing, some factors thatinfluence polishing rate and quality, choice of components in the slurry, specially organicalkali and surfactant in final polishing slurry are discussed. Besides some problems existedin polishing and the ways to solve the problems are analyzed.
【分类号】	TN305.2
【正文快照】	1 引言随着IC向VLSI/ULSI日新月异的发展，作为衬底材料硅单晶片的尺寸越来越大，特征尺寸越来越小。目前特征尺寸已达0.13mm，硅片表面上一个微小的缺陷就可能使整个器件报废，因此作为硅的整形加工工艺的最后一道工序的抛光，成为半导体器件制造技术上硅片加工的至关重要的?

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