Si基GaN外延生长-中国学术期刊网络出版总库

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Si基GaN外延生长

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【英文篇名】	GrowthofGaNonSiSubstrate
【下载频次】	★★☆
【作者】	陈鹏; 沈波; 周玉刚; 陈志忠; 臧岚;
【英文作者】	ChenPengShenBoZhouYugangChenZhizhongZhangLanZhengYoudou (DepartmentofPhysicsandInstituteofSolidStatePhysics; NanjingUniversity; 210093; CHN);
【文献出处】	固体电子学研究与进展 , RESEARCH & PROGRESS OF SOLIA STATE ELECTRONICS, 编辑部邮箱 1999年 02期期刊荣誉：ASPT来源刊中国期刊方阵 CJFD收录刊
【中文关键词】	金属有机物化学汽相淀积; 氮化镓; 外延生长;
【英文关键词】	MOCVDGaNEpitaxy;
【摘要】	报道了在光辐射加热低压ＭＯＣＶＤ（ＲＴＰ／ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）系统上，用Ｓｉ衬底成功生长了ＧａＮ外延薄膜。利用ＸＲＤ、拉曼光谱、霍耳测量及室温光致发光谱对外延薄膜进行了表征，初步的肖特基结制作表明了外延薄膜具有一定的器件质量。
【英文摘要】	GaNepilayerissuccessfullygrownonSisubstrateusingRTP/LPMOCVD.ThepropertiesoftheepilayerarecharacterizedbyXRD,Ramanspectra,Hallmeasurement,andphotoluminescencespectra.TherectifyingeffectofSchottkyjunctionshowsfairlygoodqualityoftheepilayer.
【基金】	国家863计划,教育部博士点基金,自然科学基金,国家攀登计划,南京市科委基金
【更新日期】	2013-11-28
【分类号】	TN304.054

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