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808nm大功率量子阱激光器无吸收腔面镀膜的研究  
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【英文篇名】 New Dielectric Facet Reflector for High Power 808nm Quantum Well Laser
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【作者】 李秉臣; 彭晔; 廖显伯;
【英文作者】 Li Bingchen; Peng Ye; Liao Xianbo(Institute of Semiconductors; The Chinese Academy of Sciences; Beijing\ 100083)Received 10 April 1998; revisced manuscript received 3 September 1998;
【作者单位】 中国科学院半导体研究所;
【文献出处】 半导体学报 , CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 编辑部邮箱 1999年 08期  
期刊荣誉：ASPT来源刊  中国期刊方阵  CJFD收录刊
【摘要】 用电子束反应蒸发法制备的 ａ Ｓｉ∶ Ｈ 膜和 Ａｌ２ Ｏ３ 膜组成的 ａ Ｓｉ∶ Ｈ／ Ａｌ２ Ｏ３ 膜系，解决了 ａ Ｓｉ／ Ａｌ２ Ｏ３ 膜系在 ８０８ｎｍ 波长有较强光吸收问题，吸收系数从 ２×１０３ｃｍ － １ 降低到可以忽略的程度．ａ Ｓｉ∶ Ｈ 膜的光学带隙为 １７４ｅ Ｖ 左右．应用到 ８０８ｎｍ 大功率量子阱激光器腔面镀膜上，其器件光电性能获得较大改善
【英文摘要】 Hydrogenated amorphous silicon (a\|Si∶H) with an optical bandgap of 1.74eV, deposited by electron beam reactive evaporation in H\-2 atmosphere has been used in combination with Al\-2O\-3 film as the facet reflector for high power 808nm quantum well laser. In comparison with usual film stack of a\|Si and Al\-2O\-3 shown strong optical absorption at wavelength of 808nm, the optical absorption coefficient of the new film system has been significantly lowered from 2×10\+3/cm to a negligible level. The optoelect...
【正文快照】 引言大功率量子阱激光器是包含高载流子密度、高电流密度和高光子密度的一种光电器件，降低阈值电流密度和提高量子效率是增大激光器输出功率的关键．腔面镀膜可以起到保护腔面、防止氧化、提高可靠性的作用，也可以改善激光器光电性能．譬如，利用高反射膜可以降低阈值电流Ｉ?

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