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BESⅢ飞行时间电子学电荷测量电路的温度补偿  
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【会议录名称】 第十四届全国核电子学与核探测技术学术年会论文集（1） , 2008 年
【作者】 封常青; 刘树彬; 王进红; 安琪;
【英文论文作者】 FENG Changqing LIU Shubin WANG Jinhong An Qi (Detector Technology and Nuclear Electronics Lab.Department of Modern Physics; University of Science and technology of China; Hefei 230026; China);
【作者单位】 中国科学技术大学近代物理系中国科大-高能所核探测技术与核电子学联合实验室;
【会议名称】 第十四届全国核电子学与核探测技术学术年会
【会议地点】 中国新疆乌鲁木齐
【主办单位】 中国电子学会核电子学与核探测技术分会
【学会名称】 中国电子学会核电子学与核探测技术分会
【关键词】 BESⅢ; TOF; 电荷测量; 温度补偿;
【英文论文关键词】 BESⅢ; TOF; Charge Measurement; Temperature Compensation;
【论文摘要】 本文介绍了一种利用补偿二极管实现的,针对非门控积分电路的温度补偿方法,它已成功地应用于BESⅢ飞行时间电子学的电荷测量电路中.经测试,采用该补偿方案后,对于30℃-50℃范围内的温度变化,和200mV到5000mV的输入信号动态范围,电荷测量电路的温度系数约0.6mV/℃,满足BESⅢ工程设计要求.
【英文论文摘要】 A temperature compensation method using diode is described.It is designed for non-gated integrated circuitry and has been used in charge measurement of BESⅢtime of flight electronics.Detailed tests suggests that the temperature coefficient of charge measurement,with this compensation method,is about 0.6mV/℃,covering the wide temperature range of 30～50℃and input signal dynamic range of 200～5000mV,which meets the requirement of BESⅢproject.
【基金】 国家大科学工程北京正负电子对撞机升级项目(BEPCⅡ-UDDETF-309-HT182/2004)资助; 国家自然科学基金资助(编号:10405023)
【更新日期】 2009-04-16

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