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薄膜体声波滤波器(FBAR)的研究与建模  
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【作者】 陈炜;
【导师】 王德苗;
【学位授予单位】 浙江大学;
【学科专业名称】 物理电子
【学位年度】 2005
【论文级别】 硕士
【网络出版投稿人】 浙江大学
【网络出版投稿时间】 2005-04-15
【关键词】 滤波器; FBAR谐振器; AIN薄膜; 压电耦合系数; 品质因数; 仿真;
【英文关键词】 filter; FBAR; AlN thin film; effective electromechanical coupling coefficient; quality factor; simulation;
【中文摘要】 射频滤波器具有广阔的市场,已经成为当今无线通信领域内研究的热点之一。无线通信的发展促使更多的功能模块小型化,集成化。传统的介质陶瓷滤波器体积偏大且无法与RFIC电路集成,声表波滤波器(SAW)滤波器则受光刻工艺的限制且难以承受高功率。薄膜体声波滤波器(FBAR滤波器)技术作为目前唯一可以和RFIC及MMIC集成的滤波器方案,具有更加低廉的价格和更加优越的性能而引起国际上的广泛关注。目前,国际上仅有Agilent等少数国外大公司有能力研制生产,在国内,对FBAR的研究则刚刚起步。 本文从基本的压电方程出发,建立了FBAR谐振器的理论模型,对实验室深入研究FBAR滤波器具有重要的实际意义。论文的主要工作为: 1、本文总结了FBAR谐振器模型所需的基本压电理论,并且从这个理论出发推导出横场振动和纵场振动的振动方程以及Mason等效电路模型和BVD等效电路模型; 2、提出了使用实验室自制了RF溅射镀膜设备制备AlN薄膜的方法,并且创造性的提出了测量AlN薄膜介电常数的方法; 3、利用第二类压电方程,推导出了...
【英文摘要】 Radio frequency transceiver circuits have a very broad range of applications. With the development of wireless communications, more and more minitype and integrational components are required. The convential microwave ceramic filters are too large and can not integrate with RFIC. The surface acoustic wave filters (SAW) can not assume high power for they are limited by the photoetch technology. As the only integrable solution for RF bandpass filters, the film bulk acoustic resonator (FBAR) filters become one...

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导师:王德苗    导师单位:浙江大学    学位授予单位:浙江大学
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