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热场结构对直拉硅单晶生长能耗影响分析  
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【英文篇名】 Impact Analysis of Hot Zone Structure on Power Consumption During CZ Silicon Growth
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【作者】 邓树军; 高宇; 姜舰; 戴小林; 吴志强; 刘冰;
【英文作者】 Deng Shujun1; Gao Yu1; 2; Jiang Jian1; Dai Xiaolin1; Wu Zhiqiang1; Liu Bing1(1.General Research Institute for Nonferrous Metals; Beijing 100088; China; 2.GRINM Semiconductor Materials Co.; Ltd.; China);
【作者单位】 有研半导体材料股份有限公司; 北京有色金属研究总院;
【文献出处】 半导体技术 , Semiconductor Technology, 编辑部邮箱 2010年 12期  
期刊荣誉:中文核心期刊要目总览  ASPT来源刊  CJFD收录刊
【中文关键词】 模拟; 硅单晶; 能耗; 热场; 直拉;
【英文关键词】 simulation; Si single crystal; power consumption; hot zone; czochralski;
【摘要】 结合多年热场使用经验和计算机模拟技术分析了在热场结构中影响能耗的主要因素,并提出了降低能耗的有效措施,其中包括使用热屏、紧凑的热场结构及使用低热导率的保温材料。使用小口径热屏对降低能耗有显著的效果。改进热场结构:减小加热器与石墨坩埚的间距或减小加热器与保温层的间距都能有效降低直拉硅单晶生长能耗。分析了温场中其他热量的损失,提出了包括减少热场部件与炉体直连,选用低热导率的保温材料的方法可以有效降低能耗。
【英文摘要】 The main reasons that affect the power consumption were analyzed using the experiences in hot zone application and computer simulations technology.Principles were generalized which reduce power consumption in hot zone design by the heat shield,compact hot zone configuration and the insulation materials of low coefficient thermal conductivity.The use of the small-caliber heat shield has a significant effect on the reduce of the power consumption.The modification of the hot zone structures has more effect to ...
【基金】 国家科技重大专项项目(2008zx02401)
【更新日期】 2011-01-06
【分类号】 TN304.12
【正文快照】 0引言直拉法生长硅单晶[1-3]主要采用电阻加热,以单台单晶炉加热功率75 kW计,月均加热800 h能耗60 000 kWh。面对过高的能耗带来的成本压力,硅单晶生产企业需要采取更多的措施节省电能。硅单晶炉膛内的加热元件和保温材料等成套部件统称为“热系统”或“热场”。它首先要考虑满

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