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沉淀法制备SnS纳米粉体  
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【英文篇名】 Preparation of SnS Nanopowders by Precipitation Method
【下载频次】 ★★★★☆
【作者】 吴敏; 卢建树; 姚远;
【英文作者】 WU Min; LU Jian-shu; YAO Yuan(College of chemical engineering and materials science; Zhejiang University of Technology; Hangzhou 310014; China);
【作者单位】 浙江工业大学化工与材料学院;
【文献出处】 材料科学与工程学报 , Journal of Materials Science and Engineering, 编辑部邮箱 2008年 05期  
期刊荣誉:中文核心期刊要目总览  ASPT来源刊  CJFD收录刊
【中文关键词】 SnS; 纳米粉体; 直接沉淀法; 均匀沉淀法;
【英文关键词】 SnS; nanopowders; ditect preparation; homogeneous precipitation;
【摘要】 本文以SnCl2.2H2O为原料,Na2S.9H2O、TAA为沉淀剂,采用直接沉淀法和均匀沉淀法制备SnS纳米粉体。对所得样品用XRD、EDS、SEM分析手段进行了表征,初步探讨了热处理对粉体结构性能的影响,并对两种制备方法作了简要的比较。结果表明两种方法得到的样品均为斜方晶体结构的多晶SnS粉体;采用直接沉淀法合成的粉体平均粒径为20nm,且粒度分布十分均匀;采用均匀沉淀法合成的粉体平均粒径为40nm,粉体中的S和Sn原子更接近化学计量比1∶1,品质更好。
【英文摘要】 SnS nanopowders were successfully prepared by direct precipitation method and homogeneous precipitation method using stannous chloride hydrate(SnCl_2·2H_2O) as the starting material and sodium sulphide hydrate(Na_2S·9H_2O) and thioacetamide(TAA) as precipitating agent.The obtained specimen were characterized by X-ray diffraction(XRD),energy dispersive X-ray spectroscopy(EDS) and scanning electron microscopy(SEM),the influence of heat-treated on the structure performance was proposed,and a comparison between...
【更新日期】 2008-11-28
【分类号】 TB383.1
【正文快照】 1引言SnS是Ⅳ-Ⅵ族具有层状斜方晶体结构的无毒半导体材料,其光学直接带隙和间接带隙分别为1.3~1.5eV和1.0~1.1eV,与太阳辐射中的可见光有很好的光谱匹配,光电转换效率达25%[1],非常适合用作太阳能电池中的光吸收层[1-4]。此外,SnS以其优良的光电特性,还有可能被应用于光探测器

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