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WO_3掺杂NiO的气敏性能研究  
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【英文篇名】 Study on gas sensitivity of NiO doped with WO_3
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【作者】 赵晓华; 安娜; 娄向东; 王晓兵; 楚文飞; 彭传云;
【英文作者】 ZHAO Xiao-hua; AN Na; LOU Xiang-dong; WANG Xiao-bing; CHU Wen-fei; PENG Chuan-yun(College of Chemistry and Environmental Science; Henan Normal University; Xinxiang 453007; China);
【作者单位】 河南师范大学化学与环境科学学院; 河南师范大学化学与环境科学学院 河南新乡; 河南新乡;
【文献出处】 传感器与微系统 , Transducer and Microsystem Technologies, 编辑部邮箱 2008年 01期  
期刊荣誉：中文核心期刊要目总览  ASPT来源刊  中国期刊方阵  CJFD收录刊
【中文关键词】 氧化镍; 三氧化钨; 掺杂; 气敏性能;
【英文关键词】 NiO; WO3; doping; gas sensitivity;
【摘要】 用水热法制备出NiO纳米粉体,对其进行了WO3系列掺杂。利用XRD对产物晶相结构进行表征,测试了掺杂材料的气敏性能。结果表明:适量WO3的掺杂明显改善了NiO材料的气敏性能,其中,掺杂质量分数为6%的气敏元件性能最好,350℃时对Cl2的灵敏度可达到37.5,200℃时对H2S的灵敏度可达30.4。说明该元件在不同温度下对不同气体具有选择性,且该元件对H2S响应恢复快。
【英文摘要】 The nano powder NiO is prepared by hydrothermal methord,and is doped with WO3.The microstructure is analyzed by XRD.The gas sensitivity of doped materials is detected.The results show that the sensitivity of WO3-doped NiO sensor is higher than pure NiO sensor and the sensitivity of 6 % quality fraction WO3-doped NiO is best,which highest sensitivity to Cl2 is 37.5 at 350 ℃,while its sensitivity to H2S is 30.4 at 200 ℃.So the sensor has selectivity to different gases at different temperature.Also the sensor ...
【基金】 河南省科技攻关计划资助项目(0524250038)
【更新日期】 2008-04-21
【分类号】 TB383.1
【正文快照】 0引言N iO作为一种P型半导体材料,因其具有稳定而较宽的带隙在电池材料、催化剂、气敏材料等方面有着广泛的应用[1~3]。以N iO为基体材料制作的气敏元件虽然具有响应—恢复快,稳定性比较好等优点,但与N型半导体SnO,ZnO等气敏材料相比,N iO的气体灵敏度较低,这主要是因为N iO为?

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