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退火对电容型硅纳米孔柱阵列湿度传感器性能的影响  
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【英文篇名】 Impact of Anneal on Capacitive Humidity Sensitive Properties of Silicon Nanoporous Pillar Array
【下载频次】 ★★★
【作者】 吉慧芳; 董永芬; 李隆玉; 姜卫粉; 吕运朋; 李新建;
【英文作者】 JI Hui-fang1; 2; DONG Yong-fen1; LI Long-yu1; JIANG Wei-fen1; LV Yun-peng2; LI Xin-jian1; 21.Department of Physics and Laboratory of Materials Physics; Zhengzhou University; Zhengzhou 450052; China; 2.Department of Measurement and Control Technology; Zhengzhou 450003;
【作者单位】 郑州大学物理系材料物理教育部重点实验室; 郑州大学测控技术系;
【文献出处】 传感技术学报 , Chinese Journal of Sensors and Actuators, 编辑部邮箱 2008年 07期  
期刊荣誉:中文核心期刊要目总览  ASPT来源刊  CJFD收录刊
【中文关键词】 硅纳米孔柱阵列(Si-NPA); 湿敏; 退火; 温度;
【英文关键词】 silicon nanoporous pillar array(Si-NPA); humidity sensitive; anneal; temperature;
【摘要】 基于硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)制备电容型湿度传感元件,并在250℃、450℃和550℃三个温度下对元件进行退火处理。测试数据显示,在测试温度低于550℃时,Si-NPA湿敏元件灵敏度随退火温度的升高而增大,但响应时间略微延长,湿滞回差略微增大;550℃退火后,元件的灵敏度急剧降低。采用场发射扫描电镜(FE-SEM)对不同温度退火的硅纳米孔柱阵列表面形貌进行观察,发现550℃退火元件的微观多孔结构发生了明显变化,即多孔结构致密化。结果表明,通过合适温度退火可以显著提高Si-NPA湿敏元件灵敏度,同时仍然保持较快的响应速度和较小的湿滞回差。
【英文摘要】 The capacitive humidity sensors were fabricated based on silicon nanoporous pillar arrays(Si-NPA)and annealed at 250℃,450℃,550℃ respectively.The tested results showed that the sensitivity increased gradually with elevating of annealed temperature before 550℃,while the response time decreased and the rapid moisture sensitive response increased appreciably.But as annealed at 550℃,the sensitivity decreased sharply.Through the surface microstructure observation by the filed-emission scanning electron microscope...
【基金】 国家自然科学基金资助(10574112)
【更新日期】 2008-08-27
【分类号】 TP212
【正文快照】 近年来,多孔硅(PS)因其有着很大的比表面积,对多种气体及湿度具有敏感性而成为一种新型的、具有潜力的气体/湿度敏感材料[1-3]。但是,多孔硅作为湿度传感器还存在响应时间长,稳定性和选择性差的缺点。此前我们报道了采用水热腐蚀技术,可以制备出一种新的、具有规则层次结构的硅

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