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铁电体SrBi_2Nb_2O_9电子能带结构的第一性原理研究  
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【英文篇名】 Electronic band structure of ferroelectric SrBi_2Nb_2O_9
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【作者】 唐春红; 蔡孟秋; 尹真; 张明生;
【英文作者】 Tang Chun Hong 1)2) Cai Meng Qiu 1) Yin Zhen 1) Zhang Ming Sheng 1) 1) (National Laboratory of Solid State Microstructures; Department of Physics; and Center for Materials Analysis; Nanjing University; Nanjing 210093; China) 2) (Department of Basic Course; Nanjing Institute of Technology; Nanjing 210013; China);
【作者单位】 南京大学物理系; 固体微结构实验室; 材料分析中心; 材料分析中心 南京210093南京工程学院基础部;
【文献出处】 物理学报 , Acta Physica Sinica, 编辑部邮箱 2004年 09期  
期刊荣誉:中文核心期刊要目总览  ASPT来源刊  中国期刊方阵  CJFD收录刊
【中文关键词】 顺电相; 铁电相; 态密度; 电子能带结构;
【英文关键词】 paraelectric; ferroelectric; density of states; electronic band structure;
【摘要】 采用第一性原理的方法计算了SrBi2 Nb2 O9(SBN)的顺电相、铁电相的电子结构 .顺电相是间接带隙 ,铁电相是直接带隙 ,它们的大小分别为 1 5 7和 2 2 3eV .顺电相和铁电相的价带顶均主要来自于O2p态的贡献 .而顺电相和铁电相的导带底则分别来自Nb 4d态和Bi6p态的贡献 .计算表明SBN铁电相的低的漏电流与Bi6p轨道有关 .由顺电相到铁电相时 ,Nb 4d和O 2p轨道的强的杂化以及部分的Bi O (2 )杂化间接地增强NbO6 八面体的畸变 ,降低了体系的总能量 ,有利于铁电相的稳定
【英文摘要】 The electronic band structures of SrBi 2Nb 2O 9 (SBN) in both the ferroelectric and paraelectric phases were calculated using first principles method. The paraelectric phase is of an indirect band gap of 1 57eV ; whereas the ferroelectric phase is of a direct band gap of 2 23eV. The valence band maxima of both the paraelectric and ferroelectric phases are mainly contributed from O2p states; while the conduction band minima are from Nb 4d and Bi 6p states. When transforming from the paraelectric to the...
【基金】 国家自然科学基金 (批准号 :10 1740 3 4;10 3 740 47); 江苏省自然科学基金 (批准号 :BK2 0 0 10 2 6)资助的课题~~
【更新日期】 2005-08-19
【分类号】 O482
【正文快照】 1 引言铁电材料具有压电、热释电、电光、声光、光折变和非线性光学效应等优越的性质 ,因而在微电子和光电子领域有广泛的应用前景 .具有Bi层的Aurivillius复合物由于它们优越的抗疲劳特性而成为制造铁电随机存储器理想的材料 ,其中SrBi2 Ta2 O9(SBT)由于具有低的漏电流、低的?

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