MEMS薄膜纵向断裂强度的静电测试结构模型与模拟-中国学术期刊网络出版总库

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MEMS薄膜纵向断裂强度的静电测试结构模型与模拟

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【英文篇名】	Modeling and Simulation of a Test Structure for Measuring Vertical Fracture Strength of MEMS Film
【下载频次】	★★★★★
【作者】	梅年松; 黄庆安;
【英文作者】	Mei Niansong and Huang Qing'an(Key Laboratory of MEMS of Education Ministry; Southeast University; Nanjing 210096; China);
【作者单位】	东南大学MEMS教育部重点实验室; 东南大学MEMS教育部重点实验室南京;
【文献出处】	半导体学报 , Chinese Journal of Semiconductors, 编辑部邮箱 2004年 01期期刊荣誉：ASPT来源刊中国期刊方阵 CJFD收录刊
【中文关键词】	MEMS薄膜; 断裂强度; 静电测试结构; 数学模型;
【英文关键词】	microcantilever beams; fracture strength; electrostatic test structure; mathematics modeling;
【摘要】	根据 Bore提出的一种 MEMS薄膜断裂强度静电测试结构 ,给出了一种改进的数学模型 ,根据此数学模型可以很简单地测出 MEMS薄膜的断裂强度 .对各种不同尺寸的结构用 Coventor软件对所给模型进行了验证 ,结果表明所得出的数学模型比原文中所给出的数学模型更为准确
【英文摘要】	An improved mathematics modeling based on Bore's testing structure is presented.This mathematics modeling is a facility to measure fracture strength.The modeling is confirmed by Coventor software.Results indicate that this mathematics modeling is more precision than the original text mathematics modeling.
【更新日期】	2005-08-19
【分类号】	TN405
【正文快照】	1　引言MEMS器件可靠性评估和材料特性的研究是MEMS发展中的重要课题 [1] .MEMS器件尺寸较小(一般在微米量级 ) ,在这种尺寸下材料特性参数并不像宏观大尺寸材料特性参数体现出稳定性 ,该尺寸条件下材料特性参数会随外界条件的变化而变化 ,例如 :在 1 1 0 0℃退火之后 LPCVD多?

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