锑掺杂二氧化锡薄膜的导电机理及其理论电导率-中国学术期刊网络出版总库

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锑掺杂二氧化锡薄膜的导电机理及其理论电导率

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【英文篇名】	Conducting mechanism and theory conductivity of antimony doped tin oxide
【下载频次】	★★★★★
【作者】	杨建广; 唐谟堂; 唐朝波; 杨声海; 张保平;
【英文作者】	YANG Jian-guang; TANG Mo-tang; TANG Chao-bo; YANG Sheng-hai; ZHANG Bao-ping(School of Metallurgical Science and Technology; Central South University; Changsha 410083; China);
【作者单位】	中南大学冶金科学与工程学院; 中南大学冶金科学与工程学院湖南长沙; 湖南长沙;
【文献出处】	微纳电子技术 , Micronanoelectronic Technology, 编辑部邮箱 2004年 04期期刊荣誉：中文核心期刊要目总览 ASPT来源刊 CJFD收录刊
【中文关键词】	锑掺杂二氧化锡; 电导率; 导电机理;
【英文关键词】	antimony doped tin oxide; conductibility; conducting mechanism;
【摘要】	归纳总结了锑掺杂二氧化锡(ATO)的导电机理。晶格的氧缺位、5价Sb杂质在SnO2禁带形成施主能级并向导带提供n型载流子是ATO导电的两种主要机理。从材料的电导率公式出发,定性分析了二氧化锡中掺杂锑的含量存在理论最佳值,根据已有模型计算证明了锑掺杂二氧化锡电导率存在理论上限。掺杂二氧化锡中锑的最佳理论含量为1.49%(质量百分数),锑掺杂二氧化锡理论电导率最高为0.217×104(Ω·cm)-1,氧空位对ATO电导率的贡献为0.1506×104(Ω·cm)-1。
【英文摘要】	The conducting mechanism of antimony doped tin oxide is sumed up. Oxygen vacanices and dopants,Sb5+,supply n-type charge carries to the conductibiliity of SnO2 are two conducting mechanisms. Using the formula of the materials conductibility,this paper also proves that there exists the optimum content of the Sb in ATO. Based on the exisitent mode,this paper also proves there is conductibility upper limit of ATO,the optimum dopant,Sb,in ATO is 1 49%(quality percent),the theory max conductibility of ATO is 0...
【基金】	国家重点自然科学基金项目(50234010)
【更新日期】	2005-08-19
【分类号】	O484.4
【正文快照】	1引言纯SnO2理论上属典型绝缘体,但由于存在晶格氧缺位,在禁带内形成Ed=-0.15eV的施主能级,向导带提供1015～1018cm-3浓度的电子,故SnO2具有n型半导体性质。5价元素如Sb、As或F元素掺杂均能形成浅施主能级,掺杂>1.0%(质量百分数)时,电阻率可达10-1～10-4Ω·cm,所以掺杂SnO2属?

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