90nm工艺及其相关技术-中国学术期刊网络出版总库

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90nm工艺及其相关技术

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【英文篇名】	90nm process and its relevant technology
【下载频次】	★★★★★
【作者】	翁寿松;
【英文作者】	WENG Shou-song (Wuxi Luo Te Electronic Co.; LTD; Wuxi214002; China);
【作者单位】	无锡市罗特电子有限公司江苏无锡;
【文献出处】	微纳电子技术 , Semiconductor Information, 编辑部邮箱 2003年 04期期刊荣誉：中文核心期刊要目总览 ASPT来源刊 CJFD收录刊
【中文关键词】	90nm工艺; 193nmArF光刻机; 高k/低k绝缘材料; 铜互连技术;
【英文关键词】	nm technology; 193nm ArF stepper; high k/low k insulation material; Cu inter-connection technology;
【摘要】	ITRS2001规划2004年实现90nm工艺,英特尔、AMD等世界顶级半导体公司将于2003年采用90nm工艺量产微处理器和逻辑器件。这样使ITRS2001整整提前了一年。90nm工艺包括193nm光刻技术、高k绝缘材料、高速多层铜互连技术、低k绝缘材料、应变硅技术和电压隔离技术等新技术。193nm光刻技术是实现90nm工艺达量产的最关键技术,为此,必须采用193nmArFstepper(准分子激光扫描分步投影光刻机)。讨论了90nm工艺达量产的难点,如掩模版成本较高、成品率较低和应用面暂时不宽等。
【英文摘要】	The ITRS2001planned that in2004the90nm technology would be realized.In2003,Intel,AMD etc.semiconductor companies will adopt the90nm technology for batch pro-cess in MPU and logical device.Thus the ITRS Plan2001is one year ahead of time.90nm technology consists of193nm lithography technology,high k insulating material,high speed Cu interconnection technology,low k insulating material,strained Si technology and voltage isolation technology etc.193nm photolithography is the key technology for90nm batch proce...
【分类号】	TN305
【正文快照】	１前言按２００１《国际半导体技术指南（ITRS）》规划，２００４年特征尺寸９０nm的IC达量产。世界顶级半导体公司美国英特尔、AMD、TI和摩托罗拉、德国Infineon、荷兰飞利浦、意大利和法国意法半导体、台湾地区台积电（TSMC）和台联电（UMC）以及韩国三星半导体公司个个摩拳?

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