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IGBT的发展现状及应用  
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【英文篇名】 New Developments and Applications of IGBT
【下载频次】 ★★★★★
【作者】 李恩玲; 周如培;
【英文作者】 Li Enling; Zhou Rupei ( Xi'an University Science of Technology; Xi; an; 710048 );
【作者单位】 西安理工大学;
【文献出处】 半导体杂志 , , 编辑部邮箱 1998年 03期  
期刊荣誉：CJFD收录刊
【中文关键词】 绝缘栅双极型晶体管（IGBT）; 功率器件;
【英文关键词】 Insulated gate bipolar transistor(IGBT) Power Device;
【摘要】 介绍了绝缘栅双极晶体管（ＩＧＢＴ）的基本结构，工作原理及其在国内外的发展现状，并阐述了ＩＧＢＴ的独特性能及其在电力电子领域的应用。
【英文摘要】 The structure, operation and present situation of Insulated gate bipolar transistor (IGBT) in national and international are described . The distinctive performances and applications of IGBT in the field of lower electronic are introduced.
【分类号】 TN322.8
【正文快照】 ＩＧＢＴ的发展现状及应用李恩玲，周如培（西安理工大学，西安，７１００４８）摘要介绍了绝缘栅双极晶体管（ＩＧＢＴ）的基本结构，工作原理及其在国内外的发展现状，并阐述了ＩＧＢＴ的独特性能及其在电力电子领域的应用。关键词绝缘栅双极型晶体管（ＩＧＢＴ），功率器件?

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