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原位确定GaAsMESFET沟道的掺杂浓度分布和迁移率分布  
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【英文篇名】 In situ Determination of Both Doping and Drift Mobility Profiles in GaAs MESFET
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【作者】 张友渝; 程兆年; 张俊岳;
【英文作者】 Zhang; Youyu(Hebei Institute of Semiconductor; Shijiazhuang 050051)Cheng Zhaonian; Junyue(Shanghai Institute of Matallurgy; The Chinese Academy of Sciences; Shanghai\ 200050);
【作者单位】 河北半导体研究所; 中国科学院上海冶金研究所;
【文献出处】 半导体学报 , CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 编辑部邮箱 1998年 07期  
期刊荣誉：ASPT来源刊  中国期刊方阵  CJFD收录刊
【摘要】 本文提出一种原位测定ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ沟道中掺杂浓度分布和迁移率分布的新方法．建立了测试模型．推导出测量计算公式．用最优化方法处理实验数据，由机助测试系统和计算程序可方便地获得结果．
【英文摘要】 Abstract On Basis of optimization technique, a new method to determine both doping and drift mobility profiles ( n(x) and μ(x )) in GaAs MESFET is presented. A model to determine these profiles is developed. Optimization technique is used in the data treatment. The computer aided measurement system equipped with analytic program of this method is capable of providing correct results quickly.
【分类号】 TN386.301;O474
【正文快照】 １引言砷化镓肖特基势垒场效应晶体管（ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ）沟道的掺杂浓度分布Ｎ（ｘ）和迁移率分布μ（ｘ）是影响器件微波特性的重要参数．为提高ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ的微波性能．器件的栅长已缩短到亚微米量级，而且通常采用挖槽的非均匀掺杂沟道，这给测报ＧａＡｓＭ?

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