808nm GaAs/AlGaAs大功率半导体激光器波长的影响因素及控制-中国学术期刊网络出版总库

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808nm GaAs/AlGaAs大功率半导体激光器波长的影响因素及控制

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【英文篇名】	Influential Factors and Control of Wavelength of 808um GaAs/AlGaAs High Power Laser Diode
【下载频次】	★★★★
【作者】	朱东海; 梁基本; 徐波; 朱战萍; 张隽; 龚谦; 李胜英; 王占国;
【英文作者】	Zhu Doughai Liang Jiben Xu Bo Zhu Zhanping Zhang Jun Gong Qian Li Shengying and Wang Zhanguo (Laboratory of Semiconductor Materials Science; Institute of Semiconductors; The Chinese Academy of Sciences; Beijing 100083);
【作者单位】	中国科学院半导体研究所; 100083;
【文献出处】	半导体学报 , CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 编辑部邮箱 1997年 02期期刊荣誉：ASPT来源刊中国期刊方阵 CJFD收录刊
【摘要】	通过对影响GaAs／AlGaAs激光器波长的各种因素的分析讨论与实验研究，制备了性能优良的808umGaAs／AlGaAs大功率激光器材料．应用此材料制作的激光器的结果表明，器件室温连续输出功率1W时，激射波长仍可保持在808nm附近，器件的室温连续输出功率已达2．3W．
【英文摘要】	The comprehensive analysis and experimental study on the factors in fluencing the wavelength result in the fabrication of high quality 808um GaAs/AlGaAs High Power Laser diode materials and achievements of the precise control of the wavelength. The performance of the device shows that the wavelength remains around 808um when the room temperature continuous wave output power is up to 1W. The recorded output power hasreached 2. 3W.
【分类号】	TN248
【正文快照】	1引言近年来，大功率GaAs／AIGaAs量子阶半导体激光器作为固体激光材料Nd：YAG、YVO。、GGG等的泵浦源受到人们的广泛关注．作为Nd：YAG的泵浦光源，需要具备两个方面的性质．第一，室温连续输出功率要大于IW．第二，为了实现有效的泵浦，半导体激光器的激射波长要在Nd：YAG的?

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