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纳米硅薄膜的研制
 
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【作者】
何宇亮
;
刘湘娜
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王志超
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程光煦
;
王路春
;
余是东
;
【作者单位】
南京大学物理系
;
南京大学固体微结构实验室
;
南京大学固体微结构实验室 南京
;
【文献出处】
中国科学(A辑 数学 物理学 天文学 技术科学)
,
Science in China,Ser.A
,
编辑部邮箱
1992年 09期
期刊荣誉:中文核心期刊要目总览 ASPT来源刊 中国期刊方阵 CJFD收录刊
【中文关键词】
纳米硅
;
非晶硅
;
微晶硅
;
【摘要】
使用大量氢稀释硅烷,严格控制PECVD系统中的工艺参数,分别沉积出a-Si:H,nc-Si:H 以及μc-Si:H薄膜.使用HREM,Raman及X射线谱,探讨了nc-Si:H膜的结构特征.结果表明,它已符合国际上对于固体纳米材料的认识.由于结构上的新颖性,使它具有一系列鲜为人知的物性.
【基金】
国家自然科学基金
【正文快照】
一日l会, 、JI‘;二 自1984年Gleite:及其同事们连续发表了几篇关于纳米尺寸固休材料的论文后t11,这一新领域就迅速发展起来.最初较集中在陶瓷、高分子及合金块状材料,随后又制备出薄膜状纳米材料和磁性纳米材料〔2].在半导体方面,1986年vep若ek小组首员戈表了有关纳米硅薄膜(l
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