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ZnO/Si异质结构晶界行为及其载流子输运机制研究     在线阅读 整本下载 分章下载 分页下载 本系统暂不支持迅雷或FlashGet等下载工具
【英文题名】 The Investigation Grain Boundaries Behavior and Carriers Transport Mechanism in ZnO/Si Heterostructure
【作者】 刘秉策;
【导师】 易波; 韩正甫;
【学位授予单位】 中国科学技术大学;
【学科专业名称】 微电子学与固体电子学
【学位年度】 2011
【论文级别】 博士
【网络出版投稿人】 中国科学技术大学
【网络出版投稿时间】 2011-08-12
【关键词】 ZnO/Si异质结构; 晶界; 载流子输运机制; 深能级中心;
【英文关键词】 ZnO/Si heterojucntion; grain boundary; carrier transport mechanism; deep level centers;
【中文摘要】 对Ⅱ-Ⅵ化合物半导体氧化锌(ZnO)材料的认识和研究已有几十年时间,并已将其应用在许多方面,但是直到1996年ZnO微晶结构薄膜在室温下的光泵紫外受激发射现象的发现,才重新燃起ZnO作为半导体发光材料使用的希望。由于ZnO存在着强烈的自补偿效应,直到今日高质量的p型ZnO材料也一直难以制备,这影响了p-n结型ZnO器件研制的进展,也推动了对ZnO基异质结构器件的关注。 由于ZnO和硅(Si)存在大的晶格失配,将ZnO沉积在Si衬底上会形成多晶结构,多晶ZnO薄膜中存在晶粒界和晶界势垒,而ZnO/Si异质结构界面处存在着高密度的界面态。对于这样一个复杂的ZnO/Si异质结构中的载流子输运机制及其多晶ZnO薄膜中晶界的存在对载流子输运过程的影响目前还缺乏研究。要想进一步在Si衬底上制作ZnO基器件,这些基础性的研究是必不可少的。 本论文工作主要围绕着Si衬底上的ZnO多晶薄膜特性以及所形成的ZnO/Si异质结构特性展开研究。通过适当的退火温度和退火气氛处理Si基ZnO薄膜,创新性地将光致发光谱测量(Photoluminescence,PL)与ZnO/Si异质结构的电学和深能级瞬态谱(Deep Le...
【英文摘要】 The use of thin-film semiconducters deposited on a low cost substrate has been regarded as a promising approach toward the mass production of low-cost photovoltaic devices. Zinc oxide (ZnO) is wide band gap semiconductor (-3.37 eV at room temperature) with various applications. Recently, it was considered to be a new photo-electric material in shortwave length as GaN. In1996, stimulated UV emission of ZnO at room temperature was reported, and ZnO as a UV laser material attracted people's attention immediate...
【更新日期】 2011-11-18

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