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IC制造中硅片化学机械抛光材料去除机理研究     在线阅读 整本下载 分章下载 分页下载 本系统暂不支持迅雷或FlashGet等下载工具
【英文题名】 Study on Material Removal Mechanism of Wafer Chemical Mechanical Polishing in IC Manufacturing
【作者】 苏建修;
【导师】 郭东明; 康仁科;
【学位授予单位】 大连理工大学;
【学科专业名称】 机械制造及其自动化
【学位年度】 2006
【论文级别】 博士
【网络出版投稿人】 大连理工大学
【网络出版投稿时间】 2007-01-17
【关键词】 集成电路; 化学机械抛光; 材料去除机理; 材料去除率; 材料去除非均匀性;
【英文关键词】 IC; Chemical mechaniccal polishing; Material removal mechanism; Material removal rate; Material removal nonuniformity;
【中文摘要】 集成电路(IC)是信息产业的技术基础,是推动高新技术发展的核心驱动力。化学机械抛光(chemical mechanical polishing, CMP)技术可以有效地兼顾加工表面的全局和局部平整度,在超大规模集成电路(ULSI)制造中,它不仅在材料制备阶段用于加工单晶硅衬底,而且也是多层布线金属互连结构工艺中理想的层间平坦化方法。目前,CMP技术已成为ULSI时代最广泛使用的平坦化技术。 CMP过程的精确控制在很大程度上取决于对其材料去除机理的认识和理解,但是,目前对CMP的材料去除机理、材料去除非均匀性形成机理、CMP过程变量和技术等方面的许多问题还没有完全弄清楚,在很大程度上人们还是通过经验或半经验的手段控制CMP过程。随着芯片特征尺寸的不断缩小和芯片集成度的不断提高,对CMP技术提出了更高的要求,目前的CMP技术水平已不能满足下一代IC芯片制造的工艺要求。探索CMP机理是提高CMP技术水平的重要基础研究工作。 本文从接触、摩擦、磨损、磨粒运动轨迹方面对硅片化学机械抛光材料去除机理进行细致研究,主要研究工作如下: ...
【英文摘要】 Integrate circuit (IC) is the technology foundation of information industry and a key driving force promoting the development of the high technology. Chemical mechanical polishing (CMP) has been considered as a practical and irreplaceable planarization technology of wafer in IC manufacturing. It is not only the most effective method of achieving ultra-smooth and non-damage surface in manufacturing monocrystalline silicon wafer, but also the ideal method of realizing local and global planarization of wafer i...
【更新日期】 2007-02-02

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