王跃林
【姓名】 王跃林
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 多晶硅,压力传感器,集成压力传感器,IC工艺,制作技术,工艺条件,牺牲层,腐蚀孔,机械变形,力敏电阻,热氧化,残余应力,硅压力传感器,局部氧化,钻蚀,多晶硅膜,腔形,压力响应特性,双面加工,工艺兼容性,
【工作单位】 清华大学
【曾工作单位】 清华大学;
【所在地域】 浙江
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[1]王跃林,郑心畲,李志坚.集成压力传感器制造技术[J]固体电子学研究与进展.1988,(04)
[2]王跃林,刘理天,郑心畲,李志坚.多晶硅应变膜压力传感器[J]半导体学报.1990,(09)
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