彭昭廉
【姓名】 彭昭廉
【职称】 副教授;
【研究领域】 电力工业;无线电电子学;电信技术;
【研究方向】
【发表文献关键词】 IEGT,晶闸管,结温,瞬态热阻抗,功率脉冲,多元胞,开关器件,半导体浪涌防护器,热模型,功率特性,浪涌防护,磁开关,浪涌,放电管,RSD,半导体结,开通特性,浪涌能力,温升,半导体放电管,防护器,半...
【工作单位】 华中科技大学
【曾工作单位】 华中科技大学;
【所在地域】 湖北武汉
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中国期刊全文数据库    共找到9篇
[1]杜如峰,余岳辉,胡乾,彭昭廉.预充电荷对RSD开通特性的影响[J]电力电子技术.2003,(05)
[2]李焕炀,余岳辉,彭昭廉.RSD开关的谐振式触发电路设计与研究[J]电力电子技术.2003,(06)
[3]胡乾,余岳辉,李焕炀,杜如峰,彭昭廉.基于RSD的可重复脉冲电源[J]通信电源技术.2003,(05)
[4]李焕炀,余岳辉,胡乾,彭昭廉,杜如峰,黄秋芝.RSD开关在脉冲电源中的应用研究[J]中国电机工程学报.2003,(11)
[5]杜如峰,余岳辉,彭昭廉,李焕炀,胡乾.半导体脉冲功率开关RSD的开通电压特性研究[J]微电子学.2004,(02)
[6]余岳辉,徐春华,彭昭廉,黄秋芝.多元胞半导体浪涌防护器转折特性与I_H的折衷[J]华中科技大学学报.2001,(10)
[7]徐春华,余岳辉,彭昭廉,黄秋芝.多元胞结构的半导体放电管浪涌能力研究[J]华中科技大学学报.2001,(11)
[8]李皎明,余岳辉,白铁城,彭昭廉.晶闸管的瞬态热阻抗及其结温温升的研究[J]半导体情报.2001,(02)
[9]余岳辉,徐春华,彭昭廉.新型大功率开关器件IEGT及其特性[J]通信电源技术.2001,(02)
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中国重要会议全文数据库    共找到4篇
[1]余岳辉;李焕炀;彭昭廉;杜如峰;颜家圣;.大功率超高速半导体开关RSD新结构及特性[A].中国电工技术学会电力电子学会第八届学术年会论文集.2002-11-01
[2]李焕炀;余岳辉;王明;彭昭廉;.半导体开关RSD开关特性测试平台的设计与研究[A].中国电工技术学会电力电子学会第八届学术年会论文集.2002-11-01
[3]彭昭廉;余岳辉;李焕炀;王芳;.硅功率器件液相钝化的研究与试验[A].中国电工技术学会电力电子学会第八届学术年会论文集.2002-11-01
[4]杜如峰;余岳辉;彭昭廉;李焕炀;胡乾;.新开通原理的微纳秒半导体开关器件[A].中国电工技术学会第八届学术会议论文集.2004-11-01
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