Sn Se作为一种p型的窄禁带半导体材料,其体材料的直接带隙为1.3 e V,可吸收大部分波段的太阳光。作为IV-VI族化合物的一员,除了具有本族化合物常见的优异性质外还具有其它特殊的性质:层状结构,具有各向异性,优异的光电和热电性质等。针对元器件的低维化,集成化的需求,材料的薄膜化已成为重要发展趋势。在薄膜化的基础上,将铁电材料与半导体薄膜结合,利用铁电材料的极化性质对半导体的能带结构和传输性质进行调控,实现无源的介电器件和有源的半导体器件的结合也成为重要的研究热点之一。本文探索了利用PLD和旋涂技术进行Sn Se薄膜的制备,得到不同极化方向的光铁电铌酸锂/光电半导体Sn Se薄膜异质结,利用铁电材料不同方向的极化电场与外加光场耦合来调控薄膜的光电性质,得到一种双色光电探测器件。本文制得了结晶质量较好的纯相Sn Se薄膜,PLD生长薄膜的速度为2nm/min。光场和极化电场耦合作用对Sn Se薄膜的光电性质起到了较好的调控效果。首先在暗场条件下,不同极化方向的电导产生四倍值的差距。在极化场作用下,极化方向指向薄膜的样品引入屏蔽电子,薄膜处于高阻态;极化方向背向薄膜的样品,薄膜中引入屏蔽空穴,处于低阻态。这一...
【英文摘要】
Tin(II) selenide as part of a large group of IV-VI semiconductors is emerging as an important narrow bandgap p-type semiconductor with a direct band gap at 1.30 e V, which can absorb most of the band of the sunlight. In addition to the common excellent properties of the IV-VI compounds, the layered structure, the anisotropy, the excellent photoelectric properties and the thermoelectric properties. For the demand of the miniaturization and integration of components, the development of the film material has b...
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