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金属/氧化物、半导体/氧化物多层膜的研究  
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【英文题名】 Study on Metal/Oxide、Semiconductor/Oxide Multilayers
【作者】 钟金德;
【导师】 薛钰芝;
【学位授予单位】 大连交通大学;
【学科专业名称】 材料加工工程
【学位年度】 2006
【论文级别】 硕士
【网络出版投稿人】 大连交通大学
【网络出版投稿时间】 2006-11-23
【关键词】 热蒸发; 自然氧化; 多层膜; U-I特性;
【英文关键词】 thermal evaporation; natural oxidation; multilayers; U-I curve;
【中文摘要】 本论文简要阐述了纳米多层膜的研究意义及其应用。由于其优异的性能，纳米多层膜已成为微电子与光电子领域研究热点之一。 本文在本课题组以前工作的基础上，用加热蒸发和自然氧化方法，用纯铝、纯铬在玻璃基底上制备出4、5、6、7对层的金属／氧化物多层膜，纳米多层膜的总厚度从100nm到230nm；用硅制出各种半导体／氧化物(本征硅／氧化硅、P型硅／氧化硅、N型硅／氧化硅)多层膜。 采用称重法测量薄膜的厚度；并使用三点法(分为层间测法和面上测法)研究常温和低温下多层膜的U-I特性。使用扫描电镜(SEM)观察多层膜的表面形貌和截面，并用能谱(EDS)分析多层膜的成分；使用透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射仪(XRD)分析多层膜的晶体结构，用分光光度计检测多层膜的光学性能。进而，我们研究加热对多层膜表面形貌和光电性能的影响。 实验结果表明，多层膜在常温和低温仍存在类负阻效应。多层膜U-I曲线检测表明：对层数增加，膜厚增大，均导致U-I曲线的U／I值减小，V_1值(截距)的绝对值减小；电极间距增大(面上测法)，U／I值增大，V_1值...
【英文摘要】 This paper formulates the significance and application of nano-multilayers. Due to its excellent properties, multilayers has been a focus of research in micro-electronics and optoelectronics fields. Based on former work, Al/Al_2O_3 and Cr/Cr_2O_3 multilayers (4 ～ 7 bi-layer) were fabricated by vacuum thermal evaporation and natural oxidation on glass substrates. The total thickness of the multilayers is from 100nm to 230nm. At the same time, kinds of semiconductor/oxide multilayers were prepared ...
【更新日期】 2006-12-16

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