【同被引文献】 与本文同时被作为参考文献引用的文献,与本文共同作为进一步研究的基础。
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中国期刊全文数据库 共找到 13 条
| [1] | 张帷,刘彩池,郝秋艳. 选择性生长技术制备GaN薄膜的研究进展[J]半导体技术, 2007,(02)
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| [2] | 尹甲运,刘波,张森,冯志宏,冯震,蔡树军. Si(111)衬底上GaN外延材料的应力分析[J]微纳电子技术, 2008,(12)
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| [3] | 王玉霞,温军,郭震,汤洪高,黄继颇,王连卫,林成鲁. 在Si(111)上脉冲ArF准分子激光淀积晶态定向α-SiC薄膜[J]半导体学报, 2000,(06)
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| [4] | 梁春广,张冀. GaN——第三代半导体的曙光[J]半导体学报, 1999,(02)
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| [5] | 曹传宝,朱鹤孙. 氮化镓薄膜及其研究进展[J]材料研究学报, 2000,(S1)
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| [6] | 马洪磊,杨莺歌,刘晓梅,刘建强,马瑾. GaN薄膜的研究进展[J]功能材料, 2004,(05)
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| [7] | 曲宝壮,朱勤生,陈振,陆大成,韩培德,刘祥林,王晓晖,孙学浩,李昱峰,陆沅,黎大兵,王占国. 新工艺生长的InGaN量子点的结构与电学性质研究[J]功能材料与器件学报, 2003,(01)
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| [8] | 童杏林,郑启光,于本海,秦应雄,席再军,路庆华. 脉冲激光沉积GaN薄膜的结构和光学特性研究[J]光子学报, 2003,(12)
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| [9] | 林砺宗. 用数字I/O卡实现对步进电机的控制[J]机电一体化, 2001,(02)
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| [10] | 吴卫东,许华,魏胜,唐永建,陈正豪. 脉冲激光气相沉积技术及其在ICF薄膜靶制备中的应用[J]强激光与粒子束, 2002,(06)
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