【共引文献】
(也称同引文献)与本文有相同参考文献的文献,与本文有共同研究背景或依据。

中国优秀硕士学位论文全文数据库 共找到 13 条
[1] 颜怀跃. Si衬底上GaN厚膜生长及Cr掺杂GaN性质研究[D]南京大学, 2011 .
[2] 张磊. 硅衬底上AlGaN/GaN异质结材料的生长研究[D]华中科技大学, 2011 .
[3] 陈俊. 六方相GaN的MOCVD外延生长[D]四川大学, 2003 .
[4] 孙振翠. 硅基扩镓溅射Ga_2O_3反应自组装和热壁化学气相沉积制备GaN薄膜的研究[D]山东师范大学, 2004 .
[5] 魏芹芹. 硅基磁控溅射Ga_2O_3/Al_2O_3膜氨化反应自组装法和热壁CVD法制备GaN薄膜的研究[D]山东师范大学, 2004 .
[6] 高海永. ZnO薄膜的制备及氨化Ga_2O_3/ZnO薄膜合成一维GaN纳米结构的研究[D]山东师范大学, 2005 .
[7] 吴玉新. 一维GaN纳米结构和GaN薄膜的制备及其特性研究[D]山东师范大学, 2006 .
[8] 张小英. 利用金属过渡层键合Si/Si、Si/GaN的研究[D]厦门大学, 2007 .
[9] 王英. NiCl_2催化GaN纳米结构的制备与研究[D]山东师范大学, 2009 .
[10] 介伟伟. GaN表面缺陷及其扩散的理论研究[D]四川师范大学, 2010 .

中国期刊全文数据库 共找到 13 条
[1] 董志华,薛成山,庄惠照,王书运,高海永,田德恒,吴玉新,何建廷,刘亦安. 合成GaN粗晶体棒的研究[J]微纳电子技术, 2005,(03) .
[2] 刘喆,王军喜,李晋闽,刘宏新,王启元,王俊,张南红,肖红领,王晓亮,曾一平. 在复合衬底γ-Al_2O_3/Si(001)上生长GaN[J]半导体学报, 2005,(12) .
[3] 王三胜,顾彪,徐茵,秦福文,窦宝锋,杨大智. GaN基材料生长及其在光电器件领域的应用[J]材料导报, 2002,(01) .
[4] 吴玉新,薛成山,庄惠照,田德恒,刘亦安,孙莉莉,王福学,艾玉杰. 氨化磁控溅射Ga_2O_3/BN薄膜制备GaN纳米棒[J]稀有金属材料与工程, 2006,(S2) .
[5] 刘亦安,薛成山,庄惠照,张晓凯,田德恒,吴玉新,孙莉莉,艾玉杰,王福学. 溶胶-凝胶法制备GaN颗粒[J]稀有金属材料与工程, 2006,(S2) .
[6] 吴玉新,薛成山,庄惠照,田德恒,刘亦安,张晓凯,艾玉杰,孙莉莉,王福学. sol-gel法制备GaN纳米棒的研究[J]电子元件与材料, 2005,(11) .
[7] 张永刚. 基于反射谱的GaN薄膜厚度在线测量系统[J]电子质量, 2004,(12) .
[8] 颜怀跃,修向前,华雪梅,刘战辉,周安,张荣,谢自力,韩平,施毅,郑有炓. Si(111)衬底上HVPE GaN厚膜生长[J]功能材料, 2011,(03) .
[9] 曹文田,孙振翠,魏芹芹,薛成山,王强. Si(111)衬底上生长GaN晶绳的研究[J]功能材料与器件学报, 2003,(04) .
[10] 曹文田,孙振翠,魏芹芹,薛成山,庄惠照,高海永. 氮化时间对扩镓硅基GaN晶体膜质量的影响[J]功能材料与器件学报, 2004,(03) .