中国优秀硕士学位论文全文数据库 共找到 1 条

[1]	史勇. 纳米硅浮栅MOS结构的存储特性及NOR型存储器矩阵设计探究[D]南京大学, 2013 .

中国期刊全文数据库 共找到 21 条

[1]	彭英才. 用深能级瞬态谱法研究MOS界面的电学特性[J]半导体技术, 1982,(06) .
[2]	吕世骥 ,金德宣 ,胡丕成. 由MOS电容瞬态技术确定表面层内少子产生寿命的纵向分布[J]半导体技术, 1985,(01) .
[3]	马鑫荣,田立林,李志坚. 用MIS结构C(t)特性同时决定半导体表面层内及体内的少子寿命[J]半导体学报, 1981,(04) .
[4]	张秀淼. 饱和电容法快速确定体产生寿命和表面产生速度[J]半导体学报, 1982,(02) .
[5]	马鑫荣,李志坚. 关于MOS结构深耗尽c(v)特性的转折现象[J]半导体学报, 1984,(04) .
[6]	谭长华,许铭真. 用MOS恒定电荷法测定半导体少子的体产生寿命及表面产生速度[J]半导体学报, 1984,(04) .
[7]	李志坚,田立林,马鑫荣. 硅耗尽层少子产生率的强电场效应[J]半导体学报, 1985,(01) .
[8]	张秀淼. 一种直接由C-t参数确定未知掺杂样品产生寿命的方法[J]半导体学报, 1985,(01) .
[9]	谭长华,许铭真. 用CCWT方法确定少子的体产生寿命及表面产生速度[J]半导体学报, 1985,(02) .
[10]	潘姬,齐建华,赵鸿麟,汪一沙,王春亮. Ar~+注入吸杂效应与剂量的关系[J]半导体学报, 1985,(03) .