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退火温度对P离子注入TiO2薄膜材料物理与生物学性能的影响
Influence of anneal temperature on the properties of P-implanted TiO2 biomedical thin film
【作者】 周红芳； 杨苹； 冷永祥； 赵安莎； 徐禄祥； 孙鸿； 黄楠；
【Author】 ZHOU Hong-fang, YANG Ping, LENG Yong-xiang, ZHAO An-sa,XU Lu-xiang, SUN Hong, HUANG NanDepartment of Materials Engineering, Key Lab. of Advanced Technology of Materials of Chinese Education Ministry,Southwest Jiaotong University, Chengdu 610031, China
【机构】 西南交通大学材料先进技术教育部重点实验室； 四川省人工器官表面工程重点实验室；
【摘要】 利用离子注入技术在TiO2薄膜中注入P元素,然后分别在不同温度进行退火处理,得到一系列钛氧化物掺杂材料.随着退火温度的上升,P注入的TiO2薄膜材料电阻降低,与水的接触角在70度左右波动.通过LDH及血小板粘附实验,发现高温退火样品的血液相容性得到改善.
【Abstract】 The TiO2 thin films were implanted with phosphorus ions, then annealed at different temperature to get a series of n-type semiconductors. With the increasing of anneal temperature, the resistance of P-implanted TiO2 thin films decrease and their water contact angles fluctuate at 70?, and their biocompatibility is improved.
- 【会议录名称】 第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅱ
- 【会议名称】第五届中国功能材料及其应用学术会议
- 【会议时间】2004-09
- 【会议地点】中国北京·秦皇岛
- 【分类号】TB383
- 【主办单位】国家仪表功能材料工程技术研究中心、国家“863”计划新材料领域专家委员会、中国仪器仪表学会仪表材料学会、中国金属学会、中国稀土学会、中国复合材料学会、中国有色金属学会、重庆仪表材料研究所、北京有色金属研究总院、包头稀土研究院、钢铁研究总院、北京工业大学、燕山大学、山东大学、云南大学、上海交通大学、华中科技大学、天津大学、四川大学、湖南大学、大连理工大学、南京大学、清华大学、西南师范大学、北京科技大学、北京大学、厦门大学、中南大学、电子科技大学、重庆大学、福州大学、吉林大学、哈尔滨工业大学、武汉大学、西安理工大学、北京交通大学、西北工业大学、苏州大学、东北大学、复旦大学、武汉理工大学、浙江大学、北京理工大学、北京航空航天大学、中国科技大学、西南交通大学、南开大学、《功能材料与器件学报》编辑部、《功能材料》编辑部