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基于MEMS牺牲层技术的发展现状

The current status of sacrificial layer technology based on MEMS

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【作者】 吴晓周星元

【Author】 Wu Xiao,Zhou Xing-yuan(Wuhan Institute of Science and Technology,Wuhan 430074,CHN)

【机构】 武汉科技学院机电工程学院武汉科技学院机电工程学院 武汉430074武汉430074

【摘要】 综述目前比较前沿的几种牺牲层技术的最新进展,简要阐述硅基牺牲层、光刻胶牺牲层、沉积锌牺牲层以及锗化硅(SiGe)牺牲层技术的基本原理和研究现状;同时对这些牺牲层技术的发展趋势以及应用前景进行展望,指出牺牲层技术是微机电系统推广和应用的关键性问题之一。

【Abstract】 The latest progress of some sacrificial layer technologies is summarized,explains the basic principle and current status of Si-based sacrificial layer、photoresist sacrificial layer、aggradation Zn as sacrificial layer and SiGe-based sacrificial layer;Furthermore,the development tendency of these technologies is discussed,and it is pointed out that the sacrificial layer technology is one of the key problems for the application of MEMS.

【关键词】 微成形微机电系统牺牲层技术光刻
【Key words】 Micro-formingMEMSSacrificial layerLithography
【基金】 湖北省数字化纺织装备重点实验室资助项目(DTL200604)
  • 【文献出处】 现代制造工程 ,Modern Manufacturing Engineering , 编辑部邮箱 ,2007年09期
  • 【分类号】TH703
  • 【被引频次】18
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