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适用于Flash Memory的负高压泵的实现

Implementation of Negative High-Voltage Charge-Pump for Flash

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【作者】 周钦钱松程君侠

【Author】 ZHOU Qin, QIAN Song, CHENG Jun-xia(ASIC & System State Key Laboratory, Fudan University, Shanghai 200433)

【机构】 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室 上海200433上海200433

【摘要】 提出一种适用于单电源,低电压供电的FlashMemory的负高压电荷泵的实现方法。在分析传统电荷泵工作原理的基础上,结合Flash工作电压和参数要求,提出三阱工艺,无阈值损失的负高压电荷泵电路结构。最后在0.22!mFlash工艺下给出测试结果。

【Abstract】 An implementation of negative high-voltage charge pump used for single and low-voltage power flash memory is proposed in this paper. Based on the analysis of the traditional charge pump, referred to the working conditions and parameter requirements of Flash memory, a new structure of triple-well negative high-voltage charge pump without threshold loss is brought forward. The result of test (SMIC 0.22um Flash) is given at the last section.

  • 【文献出处】 微电子学与计算机 ,Microelectronics & Computer , 编辑部邮箱 ,2007年01期
  • 【分类号】TP333.5
  • 【被引频次】9
  • 【下载频次】113
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