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Mn_xGe_(1-x)稀磁半导体薄膜的结构研究  
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【英文篇名】 Structure of Mn_xGe_(1-x) dilute magnetic semiconductor films
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【作者】 孙玉; 孙治湖; 朱三元; 史同飞; 叶剑; 潘志云; 刘文汉; 韦世强;
【英文作者】 Sun Yu 1)2) Sun Zhi-Hu 1) Zhu San-Yuan 1)2) Shi Tong-Fei 1)2) Ye Jian 1) Pan Zhi-Yun 1) Liu Wen-Han 2) Wei Shi-Qiang 1) 1) (National Synchrotron Radiation Laboratory; University of Science & Technology of China; Hefei 230029; China)2) (Department of Physics; Hefei 230026; China);
【作者单位】 中国科学技术大学国家同步辐射实验室; 中国科学技术大学物理系 合肥; 中国科学技术大学物理系;
【文献出处】 物理学报 , Acta Physica Sinica, 编辑部邮箱 2007年 09期  
期刊荣誉：中文核心期刊要目总览  ASPT来源刊  中国期刊方阵  CJFD收录刊
【中文关键词】 磁控溅射; XRD; XAFS; Mn_xGe_(1-x)稀磁半导体薄膜;
【英文关键词】 magnetron sputtering; XRD; XAFS; Mn_xGe_(1-x) dilute magnetic semiconductor thin films;
【摘要】 利用X射线衍射(XRD)和X射线吸收精细结构(XAFS)方法研究了磁控共溅射方法制备的MnxGe1-x薄膜样品的结构随掺杂磁性原子Mn含量的变化规律.XRD结果表明,在Mn的含量较低(7.0%)的Mn0.07Ge0.93样品中,只能观察到对应于多晶Ge的XRD衍射峰,而对Mn含量较高(25.0%,36.0%)的Mn0.25Ge0.75和Mn0.36Ge0.64样品则明显出现Ge3Mn5相的衍射峰,且Ge3Mn5的比例随着Mn的含量升高而增加.XAFS结果表明,对于Mn0.07Ge0.93样品,Mn主要以替代位的形式存在,占75%左右的比例;在Mn0.25Ge0.75和Mn0.36Ge0.64的样品中,除了一小部分的Mn原子以替代位的形式存在之外,大部分Mn原子以Ge3Mn5化合物的形式存在.
【英文摘要】 The structure of Mn_xGe_(1-x) dilute magnetic semiconductor thin films prepared by magnetron co-sputtering has been studied by X-ray diffraction (XRD) and X-ray absorption fine structure (XAFS) techniques. The XRD results show that in the Mn_xGe_ 1-x thin film with low Mn doping concentration (x=0.070), only diffraction peaks attributed to crystalline Ge can be observed. In samples with high Mn doping concentrations (x=0.250, 0.360), the secondary phase Ge_3Mn_5 appears, and its content enhances with Mn dop...
【基金】 国家自然科学基金(批准号:10404023,10635060)资助的课题.~~
【更新日期】 2007-09-28
【分类号】 O471;O484
【正文快照】 1.引言稀磁性半导体(diluted magnetic semiconductor,DMS)是在半导体中掺杂低浓度的过渡金属离子(TM)而生成的磁性材料.由于稀磁性半导体材料是实现自旋电子学器件的重要材料,因此受到了人们的广泛关注[1,2].通过改变磁性杂质离子浓度和生长条件可以有效控制它们的光电、磁光?

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