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As保护下的生长中断时间对AlSb/InAs超晶格界面粗糙度的影响  
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【英文篇名】 As-soak dependence of interface roughness of AlSb/InAs superlattice
【下载频次】 ★★☆
【作者】 李志华; 王文新; 刘林生; 蒋中伟; 高汉超; 周均铭;
【英文作者】 Li Zhi-Hua Wang Wen-Xin Liu Lin-Sheng Jiang Zhong-Wei Gao Han-Chao Zhou Jun-Ming(Institute of Physics; Chinese Academy of Sciences; Beijing 100080; China);
【作者单位】 中国科学院物理研究所; 中国科学院物理研究所 北京;
【文献出处】 物理学报 , Acta Physica Sinica, 编辑部邮箱 2007年 03期  
期刊荣誉：中文核心期刊要目总览  ASPT来源刊  中国期刊方阵  CJFD收录刊
【中文关键词】 分子束外延; 生长中断; 超晶格; 掠入射X射线反射;
【英文关键词】 MBE; growth termination; superlattice; grazing incidence X-ray reflectivity;
【摘要】 用分子束外延设备(MBE)在GaAs(100)衬底上生长了InSb型界面的AlSb/InAs超晶格,界面生长过程中采用了As保护下不同的中断时间.运用掠入射X射线反射技术(GIXRR)对样品进行了测量,并对测量结果进行了模拟和分析,发现As保护下生长中断20s能获得最平整的AlSb/InAs界面.结合分析显微镜下观察到的样品形貌,过短的界面中断时间会导致界面富In并形成In点,而过长的中断时间会导致AlAs型界面的形成,两者都使界面变得粗糙.另外,还讨论了生长中断在分子束外延生长中的应用.
【英文摘要】 Different As-soak time is applied during InSb-like interfaces growth of InAs/AlSb superlattices on GaAs(100)substrates.The interface roughness is studied by grazing incidence X-ray reflectivity.The reflectivity curves are simulated by standard software and the rms roughness of the interfaces is obtained.It was shown that the sample with As-soak time of 20 seconds has the most smooth interfaces.By analyzing the microscope images of the samples,we suggest that In-rich interfaces will be formed with too short ...
【基金】 国家自然科学基金(批准号:50572120)资助的课题.
【更新日期】 2007-03-28
【分类号】 O781
【正文快照】 1·引言因为InAs和AlSb之间高达1·35eV的导带不连续性,以及InAs材料的高电子迁移率,室温下能达到30000cm2/V[1],使得AlSb/InAs异质结在电子器件领域有着广阔的应用前景,例如,高电子迁移率晶体管[2,3],异质结双极晶体管[4,5]和共振遂穿二极管[6].半导体器件的光学、电学等性能?

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