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一种采用高阶温度补偿的带隙电压基准的设计

Design of High-Order Temperature Compensation BiCOMS Bandgap Voltage Reference

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【作者】 张科峰; 肖华; 汪华;

【Author】 ZHANG Ke-feng,XIAO Hua,WANG Hua(Huazhong University of Science & Technology,Dept of Electronics of Science & Technology,Wuhan 430074,China)

【机构】 华中科技大学电子科学与技术系; 华中科技大学电子科学与技术系 湖北武汉430074; 湖北武汉430074;

【摘要】 在DC-DC变换器芯片设计中,用于产生参考电压的带隙基准的精度直接影响到芯片的控制精度。文中设计了一种高阶温度补偿的精确带隙电压基准,使用0.6μm BCD2P2M工艺库,HSPICE仿真显示在-25℃~125℃范围,带隙基准电压为1.249V,温度系数可低达2.7ppm/℃,电压线性调整率为0.004%,电源抑制比PSRR达87dB。

【Abstract】 The precision of bandgap voltage reference is vital to DC-DC converter design.This paper presents a high-order temperature compensation bandgap voltage reference.The result of HSPICE simulation using 0.6 μm BCD 2P2M process demonstrates that the bandgap reference voltage is 1.241 V,the temperature coefficient is about 2.7 ppm/℃ over a temperature range of-25~125 ℃ while the PSRR is more than 87 dB.

  • 【文献出处】 通信电源技术 ,Telecom Power Technologies , 编辑部邮箱 ,2007年04期
  • 【分类号】TN432
  • 【被引频次】1
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