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LaSrGaO4:Cu2+晶体电子顺磁共振参量和缺陷结构的研究
Studies of the EPR parameters and defect structure for LaSrGaO4:Cu2+ crystal
【摘要】 采用3d9离子在四角对称中的高阶微扰公式,计算了LaSrGaO4:Cu2+晶体的电子顺磁共振(EPR)参量g因子g∥,g⊥和超精细结构常数A∥,A⊥.计算结果与实验值较好符合.由于晶体中顺磁杂质中心的EPR参量与其缺陷结构密切相关,本计算还获得了Cu2+杂质中心缺陷结构的信息.我们对上述结果进行了讨论.
【Abstract】 The EPR parameters(g factors g∥,g⊥ and hyperfine structure constants A∥,A⊥) for LaSrGaO4: Cu2+ crystal are calculated from the high-order perturbation formulas of 3d9 ion in tetragonal symmetry.The calculated results are in agreement with the observed values.Since the EPR parameters are sensitive to the local structure of a paramagnetic impurity center,the defect structure of Cu2+ center in LaSrGaO4 crystal is estimated.The results are discussed.
【关键词】 电子顺磁共振参量；
缺陷结构；
LaSrGaO4:Cu2+晶体；
【Key words】 EPR parameters； defect structure； LaSrGaO4: Cu2+ crystal；
【Key words】 EPR parameters； defect structure； LaSrGaO4: Cu2+ crystal；
【基金】 重庆工学院科研基金(2005Z077)
- 【文献出处】 四川大学学报(自然科学版) ,Journal of Sichuan University(Natural Science Edition) , 编辑部邮箱 ,2007年03期
- 【分类号】O614.331
- 【被引频次】3
- 【下载频次】195