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一种4ppm/℃曲率补偿CMOS带隙基准源

A Curvature Compensated CMOS Bandgap Reference with 4 ppm/℃

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【作者】 郑儒富俞永康

【Author】 ZHENG Ru-fu,YU Yong-kang(State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices,University of Electronic Science and Technology of China,Chengdu,Sichuan 610054,P.R.China)

【机构】 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 四川成都610054四川成都610054

【摘要】 提出了一种采用新型曲率补偿技术的CMOS带隙基准源。该电路利用BJT电流和电压的指数关系,得到了高阶曲率补偿的基准电压。在-55~+125℃温度范围内,通过HSPICE仿真验证,基准电压的温度系数不到4ppm/℃。在此基础上,实现了可调节的基准电压输出。

【Abstract】 A novel curvature compensated CMOS bandgap reference is proposed,which could generate a higherorder curvature compensated reference voltage with the exponential feature of BJT.Simulated in HSPICE,the bandgap reference source exhibits a temperature coefficient lower than 4-ppm/℃ in the temperature range from-55 ℃ to 125 ℃,and two adjustable reference voltages are also obtained.

  • 【分类号】TN432
  • 【被引频次】14
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