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InAs/GaSbⅡ型超晶格红外探测器的发展

InAs/GaSb Type-Ⅱ Superlattices for Infrared Detector

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【作者】 殷景志高福斌汤艳娜张天舒刘驰王一丁杜国同

【Author】 YIN Jing-zhi,GAO Fu-bin,TANG Yan-na,ZHANG Tian-shu,LIU Chi,WANG Yi-ding,DU Guo-tong(College of Electronic Science and Engneering,Jilin University,Changchun 130012,China)

【机构】 吉林大学电子科学与工程学院吉林大学电子科学与工程学院 吉林长春130012吉林长春130012

【摘要】 InAs/GaSbⅡ型超晶格具有特殊的能带结构,做成的探测器工作波长可覆盖3~30μm,文中阐明了Ⅱ型超晶格探测器的工作机理,并综述了目前国外利用InAs/GaSbⅡ型超晶格能带结构的特殊性广泛开展对其材料和器件研究的新进展。

【Abstract】 Because InAs/GaSb type-Ⅱ superlattices have special energy gap structure,the detector′s wavelength made by the material covers infrared region from 3 to 30μm.The operating mechanism of type-Ⅱ superlattices detector is clarified.This paper reviews the new achievements that the foreign researchers use the energy band structure′s peculiarity of the InAs/GaSb type-Ⅱ superlattices to fabricate materials and devices.

【基金】 国家自然科学基金项目(60676039,60477012);国家“863”计划项目(2202AA313080)
  • 【文献出处】 激光与红外 ,Laser & Infrared , 编辑部邮箱 ,2007年08期
  • 【分类号】TN215
  • 【被引频次】5
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