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用直接隧道栅电流在线表征PMOSFET负偏压温度不稳定性
【摘要】 本文提出了一种在线表征负偏压温度不稳定性(NBTI,negative bias temperature insta-bility)退化的方法--直接隧道栅电流表征法(DTGCM,DT Gate Current Method)。用这种方法可以得到NBTI应力诱生在超薄栅氧化层中的缺陷密度(包括氧化层体陷阱密度和界面态密度),并得到PMOSFET器件阈值电压的漂移(ΔVth)信息。这种方法可以有效避免NBTI恢复效应的影响。
【关键词】 超薄栅氧化层,；
PMOSFET；
负偏压温度不稳定性(NBTI)；
退化；
恢复效应；
- 【文献出处】 中国集成电路 ,China Integrated Circuit , 编辑部邮箱 ,2007年04期
- 【分类号】TN386
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