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窄线宽半导体激光器件

Narrow linewidth semiconductor laser diodes

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【作者】 罗毅黄缙孙长征

【Author】 LUO Yi, HUANG Jin, SUN Chang-zheng (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Department of Electronic Engineering, Tsinghua University, Beijing 100084, China)

【机构】 清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室 北京100084北京100084

【摘要】 分布反馈半导体激光器的线宽一般较大,难以满足光纤传感等领域的要求。根据C.H.Henry于1982年提出的半导体激光器的线宽理论,通过适当设计DFB半导体激光器的腔长、耦合系数、微分增益、光限制因子,能有效地减小激光器的线宽。同时,空间烧孔现象也可限制DFB半导体激光器的线宽,为此需要合理设计光栅结构。在此基础上,DFB激光器的线宽能达到几十千赫兹的量级。此外,采用DBR结构或者外腔结构,也可以获得相当窄的线宽。

【Abstract】 The linewidth of distributed feedback (DFB) semiconductor lasers is usually too wide to meet the requirement of fiber-optic sensing. According to the linewidth theory of semiconductor lasers proposed by C. H. Henry in 1982, reduced linewidth can be obtained with proper design of key parameters of a DFB laser, such as cavity length, coupling coefficient, differential gain and optical confinement factor. Meanwhile, spatial-hole-burning is also detrimental to linewidth-narrowing, and special care must be paid to grating structure design to achieve narrow linewidth. By taking the above issues into consideration, DFB semiconductor lasers with a linewidth of 10-kHz have been demonstrated. In addition, ultra-narrow linewidth can be also realized by adopting DBR structure or external cavity structure.

【基金】 国家自然科学基金资助项目(60536020);国家重点基础研究发展计划“973”资助项目(2006CB302801)
  • 【文献出处】 红外与激光工程 ,Infrared and Laser Engineering , 编辑部邮箱 ,2007年02期
  • 【分类号】TN248.4
  • 【被引频次】31
  • 【下载频次】928
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