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Au/锗/氧化硅纳米多层膜/p-Si结构的电致发光机制研究
Study of electroluminescence mechanism in Au/Ge/SiO2 nanometer multi-layer films /p-Si structure
【摘要】 用射频磁控溅射法制备了锗/氧化硅纳米多层膜,在室温下测量了Au/锗/氧化硅纳米多层膜/p-Si结构的电致发光。利用位形坐标模型分析了锗/氧化硅纳米多层膜的发光中心,并用量子限制-发光中心模型对该纳米结构的电致发光过程作了研究,研究表明锗/氧化硅纳米多层膜的电致发光主要来自SiO2层的发光中心。
【Abstract】 Ge/silicon oxide nanometer multilayer films were deposited by the r.f.magnetron sputtering technique.The electroluminescence spectra from Au/Ge/SiO2 nanometer multilayer films/p-Si were measured at room temperature.The light centers of this structure are analyzed by using configuration coordinate,and the electroluminescence process of this structure is studied by using quantum confinement-luminescence center model.The results show that the EL of Ge/silicon oxide nanometer multilayer films originates mainly from luminescence centers of SiO2 layers.
【关键词】 锗/氧化硅纳米多层膜；
电致发光；
位形坐标；
量子限制；
发光中心；
【Key words】 Ge/silicon oxide nanometer multilayer films； electroluminescence； configuration coordinate； quantum confinement； luminescence centers；
【Key words】 Ge/silicon oxide nanometer multilayer films； electroluminescence； configuration coordinate； quantum confinement； luminescence centers；
【基金】 国家自然科学基金资助项目(60276015);教育部科学技术研究项目(204139);甘肃省教育厅科研资助项目(0501-04);甘肃省高分子材料重点实验室开放基金资助项目(KF-05-03)
- 【文献出处】 功能材料 ,Journal of Functional Materials , 编辑部邮箱 ,2007年01期
- 【分类号】TB383.1
- 【被引频次】3
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