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NMOS晶体管高剂量率下总剂量辐照特性研究

Total Dose Effects with High Dose Rate in NMOS Transistors

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【作者】 李冬梅王志华皇甫丽英勾秋静雷有华李国林

【Author】 LI Dong-mei1,WANG Zhi-hua2,HUANGFU Li-ying1,GOU Qiu-jing1,LEI You-hua1,LI Guo-lin1 1.Department of Electronic Engineering,Tsinghua University,Beijing 100084,China ;2.Institute of Microelectronics,Tsinghua University,Beijing 100084,China

【机构】 清华大学电子工程系清华大学微电子学研究所清华大学电子工程系 北京100084北京100084

【摘要】 采用商用标准0.6μm体硅CMOS工艺设计了不同宽长比、不同沟道长度及不同版图结构的非加固型NMOS晶体管作为测试样品.经高剂量60Coγ射线的总剂量辐照实验,讨论其在不同栅源偏置电压下的总剂量辐照特性.研究表明NMOS总剂量效应对辐照时栅源偏置电压敏感;辐照引起阈值电压的漂移随W/L的变化不明显;沟道长度及版图结构对NMOS管辐照后的源漏极间泄漏电流的影响显著.

【Abstract】 The test chips were designed and processed in a commercial 0.6 μm standard CMOS/Bulk process.Device parameters were monitored before and after irradiation with about 9.5 kGy(Si)60Coγ-rays.Comparisons of the effects with different device sizes and different layout structures were made.The effects of different biasing conditions during irradiation are discussed.The experiment results show that W/L does not change the threshold voltage shift after γ-ray irradiation.Channel length and layout structure enormously influence the leakage between source and drain induced by irradiation.

【关键词】 NMOS晶体管辐照效应总剂量
【Key words】 NMOS transistorsradiation effectTotal Dose Effects
【基金】 国家自然科学基金资助(60372021/F010204)
  • 【文献出处】 电子器件 ,Chinese Journal of Electron Devices , 编辑部邮箱 ,2007年03期
  • 【分类号】TN386
  • 【被引频次】16
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