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Cd掺杂BZCN薄膜的制备及其介电性能

Preparation of Cd-doped BZCN thin film and its dielectric properties

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【Author】 ZHANG Kai,JIANG Shu-wen,CHENG Peng,ZHANG Ying,QI Zhen-liang(State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices,University of Electronics Science and Technology,Chengdu 610054,China)

【机构】电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室；电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室四川成都610054；四川成都610054；

【摘要】用射频磁控溅射法,在Pt/Si基片上制备了立方烧绿石结构的Cd掺杂Bi1.5Zn0.7Cd0.3Nb1.5O7(BZCN)薄膜。研究了衬底温度对薄膜结构、表面形貌以及介电性能的影响。结果表明,沉积温度为600℃,退火温度为700℃制备的薄膜,在测试频率为100 kHz,测试电场强度为1.33×106 V/cm的条件下,介电可调率达到11.8%,tanδ小于0.004 2。更多还原

【Abstract】 The Bi1.5Zn0.7Cd0.3Nb1.5O7(BZCN) thin films of cubic pyrochlore phase were prepared on Pt/Si substrate using RF magnetron sputtering method.Investigated were the effects of substrate temperature on the structures and surface morphology,dielectric properties of films.The BZCN thin films sputtered with a deposited temperature of 600 ℃ and annealed temperature at 700 ℃ showed a dielectric tunability of 11.8 %,tan δ lower than 0.0042 at E of 1.33×106 V/cm and measurement frequency of 100 kHz.更多还原

【关键词】无机非金属材料； Cd掺杂BZCN薄膜；射频磁控溅射；介电性能；介电可调率；
【Key words】 non-metallic inorganic material； Cd-doped BZCN thin film； RF magnetron sputtering； dielectric properties； dielectric tunability；

【基金】教育部博士点基金项目(20060614009)

【文献出处】电子元件与材料 ,Electronic Components and Materials , 编辑部邮箱 ,2007年05期

【分类号】TB383.2
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