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利用TEM对Si基片与MgO基片上生长的薄膜特性的研究
Study the idiocratics of films on Si and on MgO
【摘要】 对生长在Si和MgO单晶基片上的不同厚度的单层NbN薄膜、双层薄膜AlN/NbN以及三层薄膜NbN/AlN/NbN应用透射电子显微镜(Transmission Electron Microscope,TEM)技术进行了分析研究,对这几种薄膜样品的微观结构、薄膜厚度以及各个边界的一些直观细节给出了较为清晰的图像。由透射电子显微镜的电子衍射图案计算了薄膜和单晶衬底的晶格常数,并与我们以前采用X射线衍射技术分析的结果进行了比较,结果有很好的吻合。
【Abstract】 Analysed the NbN film,the AlN/NbN film and NbN/AlN/NbN film on Si and on MgO by TEM(Transmission Electron Microscope),observed the microstructure,the thickness and the interfacial of films.Got the crystal lattice constant of films and underlay by diffraction pattern,the constant was similar to that got by analysing the XRD pattern.The quality of the film is wonderful.
【关键词】 透射电子显微镜；
薄膜；
电子衍射图案；
SIS结；
【Key words】 TEM(Transmission Electron Microscope)； Film； Diffraction pattern； SIS Junction；
【Key words】 TEM(Transmission Electron Microscope)； Film； Diffraction pattern； SIS Junction；
【基金】 国家自然科学基金项目(10474036)(10534060);国防科技重点实验室基金项目(51473040105JW1101)资助
- 【文献出处】 低温与超导 ,Cryogenics and Superconductivity , 编辑部邮箱 ,2007年03期
- 【分类号】O484.4
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