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高压大功率IGCT器件在PSIM中的仿真研究

The Study of IGCT’s Simulation in PSIM

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【作者】 黄炜何人望王大刚

【Author】 Huang Wei(East China Jiaotong University)

【机构】 华东交通大学电气与电子工程学院华中科技大学电气工程学院华东交通大学电气与电子工程学院 330013430074330013

【摘要】 由于高压大功率IGCT器件的优越性能,使其在高压大功率变换器领域中逐渐得到广泛应用。本文研究了一种适用于高压大功率变流仿真的IGCT功能模型,该模型依据IGCT的主要外部物理特性(主要是阳极电流和关断电压),在PSIM软件包下建立的等效电路。此模型的主要特点为计算速度快,参数求解方便等。该文还详细描述了该模型的测试电路,并根据ABB公司给出的5SHY35L4510模型主要参数进行实验,通过仿真和实验的波形对比表明该模型具有一定理论参考价值和实用性。

【Abstract】 Owing to the great performance of IGCT (Integrated Gate Commutated Thyristor), Much attention has been paid to it. In the thesis, IGCT which is suitable for simulation in High-voltage inverters is studied. According the main physical characteristic of IGCT (especially anode current and terminal voltage), its equivalent model is realized by the simulation tool of PSIM package. The strongpoint of simulated model is high speed and easy parameter design. It also describes the testing circuit of IGCT in the paper and experiment is accomplished on the basis of the parameter of ABB’S 5SHY35L4510 IGCT. According to comparing simulated waves with experimented waves, It show that the model has referenced sense and practicability.

  • 【文献出处】 电气应用 ,Electrotechnical Application , 编辑部邮箱 ,2007年05期
  • 【分类号】TN34
  • 【被引频次】3
  • 【下载频次】382
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