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P型ZnO薄膜的制备及特性研究
【摘要】 <正>ZnO是一种新型的自激活宽带隙半导体材料,是一种理想的短波长发光器件材料,在光电子、高温大功率器件、高频微波器件以及信息技术领域等方面有着广阔的应用前景,实现和控制高质量P型掺杂是ZnO薄膜光电子应用的关键。本文用射频磁控溅射技术,在直径为100 mm的单晶Si(110)衬底上制备ZnO薄膜,薄膜厚度为1.8μm。用多功能离子注入机对ZnO薄膜进行N离子注入。通过退火实现了ZnO薄膜的P型转变。扫描电镜(SEM)观察表明,离子注入使薄膜表面形貌产生损伤和缺陷,粗糙度明显增加,但退火对表面形貌有很大改善。X射线衍射(XRD)给出样品具有对应于ZnO(002)面的衍射峰,表明薄膜具有较好的c轴择优取向。在不同温度下(500℃,650℃,800℃,900℃,950℃),
【基金】 重庆市自然科学基金(No．AC4034);重庆市教委科研基金项目(N0．KJ050812)
- 【文献出处】 重庆师范大学学报(自然科学版) ,Journal of Chongqing Nornal University(Natural Science Edition) , 编辑部邮箱 ,2007年02期
- 【分类号】TN304.05
- 【被引频次】2
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