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SU-8胶深紫外光刻模拟

Simulation of SU-8 Photoresist Profile in Deep UV Lithography

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【作者】 冯明; 黄庆安; 李伟华; 周再发; 朱真;

【Author】 Feng Ming,Huang Qing’an,Li Weihua,Zhou Zaifa,and Zhu Zhen(Key Laboratory of MEMS of the Ministry of Education,Southeast University,Nanjing 210096,China)

【机构】 东南大学MEMS教育部重点实验室; 东南大学MEMS教育部重点实验室 南京210096; 南京210096;

【摘要】 综合了SU-8胶光刻过程中衍射、反射、折射、吸收率随光刻胶深度的变化及交联显影等各种效应,考虑了折射及吸收系数随时间的变化,建立了SU-8化学放大胶的光刻模型.模拟结果显示,该模型比现有的模拟方法结果更精确,与实验结果符合较好,可以在实际应用中对SU-8光刻胶的二维模拟结果进行有效预测.

【Abstract】 A new simulation method is proposed which considers diffraction,reflection,refraction,energy loss,absorption coefficient change,post-bake,and development.Compared with previous simulation methods,the present results show good agreement with experimental results.This shows that the simulation accuracy is increased.It is useful for the research of SU-8 phoptoresist deep UV lithography processes and micro-electro-mechanical system design.

【基金】 国家自然科学基金资助项目(批准号:50325519)~~
  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,2007年09期
  • 【分类号】TN305.7
  • 【被引频次】11
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