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用分子束外延技术在GaAs(110)衬底上生长AlGaAs材料

Growth of AlGaAs on GaAs (110) Surface by Molecular Beam Epitaxy

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【作者】 刘林生王文新刘肃赵宏鸣刘宝利蒋中伟高汉超王佳黄庆安陈弘周均铭

【Author】 Liu Linsheng1,2,3,Wang Wenxin2,Liu Su1,Zhao Hongming2,Liu Baoli2,Jiang Zhongwei2,Gao Hanchao2,Wang Jia2,Huang Qing’an1,3,Chen Hong2,and Zhou Junming2(1 School of Physical Science and Technology,Lanzhou University,Lanzhou 730000,China)(2 Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics,Institute of Physics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100080,China)(3 MEMS Key Laboratory of the Ministry of Education,Southeast University,Nanjing 210096,China)

【机构】 兰州大学物理科学与技术学院中国科学院物理研究所凝聚态国家实验室中国科学院物理研究所凝聚态国家实验室 兰州730000 中国科学院物理研究所凝聚态国家实验室北京100080 东南大学MEMS教育部重点实验室南京210096北京100080兰州730000兰州730000 东南大学MEMS教育部重点实验室

【摘要】 采用分子束外延技术在GaAs(110)衬底上制备了一系列生长温度和As2/Ga束流等效压强比不同的样品,通过室温光致发光谱、高分辨X射线衍射仪和低温光致发光谱对这些样品进行了分析,找到了在GaAs(110)衬底上生长高质量高Al组分的Al0.4Ga0.6As生长条件.

【Abstract】 A series of samples with different growth temperatures and different BEP ratios were grown on GaAs(110) substrates by molecular beam epitaxy.The samples were investigated via room temperature and low temperature photoluminescence spectra and high resolution X-ray diffraction.Then the optimized growth conditions of Al0.4Ga0.6As films on GaAs(110) substrates were found.

【基金】 中国科学院知识创新工程,国家自然科学基金(批准号:10504030);甘肃省自然科学基金(批准号:3ZS051-A25-034)资助项目~~
  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,2007年09期
  • 【分类号】TN304
  • 【被引频次】2
  • 【下载频次】353
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