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用分子束外延技术在GaAs(110)衬底上生长AlGaAs材料
Growth of AlGaAs on GaAs (110) Surface by Molecular Beam Epitaxy
【摘要】 采用分子束外延技术在GaAs(110)衬底上制备了一系列生长温度和As2/Ga束流等效压强比不同的样品,通过室温光致发光谱、高分辨X射线衍射仪和低温光致发光谱对这些样品进行了分析,找到了在GaAs(110)衬底上生长高质量高Al组分的Al0.4Ga0.6As生长条件.
【Abstract】 A series of samples with different growth temperatures and different BEP ratios were grown on GaAs(110) substrates by molecular beam epitaxy.The samples were investigated via room temperature and low temperature photoluminescence spectra and high resolution X-ray diffraction.Then the optimized growth conditions of Al0.4Ga0.6As films on GaAs(110) substrates were found.
【基金】 中国科学院知识创新工程,国家自然科学基金(批准号:10504030);甘肃省自然科学基金(批准号:3ZS051-A25-034)资助项目~~
- 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,2007年09期
- 【分类号】TN304
- 【被引频次】2
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