节点文献

Ag掺杂ZnO的第一性原理计算

First-Principles Calculation of ZnO Doped with Ag

  • 推荐 CAJ下载
  • PDF下载
  • 不支持迅雷等下载工具,请取消加速工具后下载。

【作者】 万齐欣熊志华饶建平戴江南乐淑萍王古平江风益

【Author】 Wan Qixin,Xiong Zhihua,Rao Jianping,Dai Jiangnan,Le Shuping, Wang Guping,and Jiang Fengyi(Education Ministry Engineering Research Center for Luminescent Materials and Devices,Institute of Materials Science, Nanchang University,Nanchang 330047,China)

【机构】 南昌大学材料科学研究所教育部发光材料与器件工程研究中心南昌大学材料科学研究所教育部发光材料与器件工程研究中心 南昌330047南昌330047

【摘要】 采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势法对Ag掺杂ZnO的几何结构、杂质形成能和电子结构进行了比较系统的研究.研究表明,掺Ag导致晶格膨胀;在ZnO晶格中,杂质Ag最可能以替代Zn位出现,此时将形成一个深受主能级.文中的计算结果与其他研究者的实验结果相吻合.

【Abstract】 A method using first principles and pseudopotentials based on density functional theory is applied to calculate the geometric structure,the formation energy of impurities,and the electronic structure of ZnO doped with Ag.The calculations indicate that ZnO doped with Ag expands.Furthermore,Ag dopants prefer to occupy the substitutional Zn sites,and an Ag substitution at a Zn site behaves as a deep acceptor.Our results are in good agreement with other calculated and experimental results.

【关键词】 ZnOAg第一性原理电子结构
【Key words】 ZnOAgfirst principleselectronic structure
【基金】 国家高技术研究发展计划(批准号:2003AA302160);电子信息产业发展基金(批准号:2004125)资助项目~~
  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,2007年05期
  • 【分类号】TN304
  • 【被引频次】25
  • 【下载频次】985
节点文献中: 

本文链接的文献网络图示:

本文的引文网络